China Chip der integrierten Schaltung

IC brechen Silikon-Karbid-N-Kanal MOSFET-Transistoren MSC025SMA120S 1200 V ab

Teilnummer:MSC025SMA120S

Fet-Art:N-Kanal

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:89A (Tc)
Chip MSC180SMA120B 1200V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-247-4

Teilnummer:MSC180SMA120B

Transistor-Polarität:N-Kanal

Befestigung von Art:Durch Loch
Chip MSC090SMA070S 700V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-268-3

Teilnummer:MSC090SMA070S

Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom:25 A

thermischer Widerstand des Kreuzung-zu-Falles (Art):1.10W/°C
N-Kanal des Silikon-Karbid-MSC015SMA070B4 sic Chips MOSFET-Transistor-TO-247-4 IC

Teilnummer:MSC015SMA070B4

Pulsierter Abflussstrom:350A

Linearer herabsetzender Faktor:3.03W/°C
GRAD MOSFET-Transistoren 650V der Transistor-IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 Automobil

Teilnummer:IPBE65R075CFD7AATMA1

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:139 mOhms

Vgs - Tor-Quellspannung:- 20 V, + 20 V
N-Kanal MOSFET-Transistoren 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung des Chip-BSZ036NE2LSATMA1

Teilnummer:BSZ036NE2LSATMA1

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 150 C

PD - Verlustleistung:37 W
N-Kanal IMBG65R030M1HXTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8

Teilnummer:IMBG65R030M1HXTMA1

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Verlustleistung (maximal):234W (Tc)
N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Teilnummer:IPT026N10N5ATMA1

Identifikation (@ TC=25°C) - maximal:202 A

Identifikation (@25°C) - maximal:202 A
Graben-Art Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren TO-263-8 IMBF170R450M1XTMA1 1700V

Teilnummer:IMBF170R450M1XTMA1

Pin Count:7 Stifte

Qg:11 nC
N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Teilnummer:IPT60R022S7XTMA1

Paket/Fall:HSOF-8

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:22 mOhms
N-Kanal MOSFET-Transistor der integrierten Schaltung des Chip-BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN

Teilnummer:BSZ060NE2LSATMA1

Unterkategorie:MOSFETs

Breite:3,3mm
N-Kanal NVH4L160N120SC1 treiben sic einzelne MOSFET-Transistoren TO-247-4 1200V an

Teilnummer:NVH4L160N120SC1

Minimale Betriebstemperatur:- 55°C

PD - Verlustleistung:111 W

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N-Kanal MOSFET-Transistoren 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung des Chip-BSZ036NE2LSATMA1

N-Kanal IMBG65R030M1HXTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8

N-Kanal IPT026N10N5ATMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

Graben-Art Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren TO-263-8 IMBF170R450M1XTMA1 1700V

N-Kanal IPT60R022S7XTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-8-PowerSFN

N-Kanal MOSFET-Transistor der integrierten Schaltung des Chip-BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN

N-Kanal NVH4L160N120SC1 treiben sic einzelne MOSFET-Transistoren TO-247-4 1200V an

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