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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

Teilenummer:USE Gefahrenabweichung

Speichergröße::1 Gbit

Organisation::128 M x 8
NT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B

Teilenummer:NT2B2B2B2B2B2

Paket:BGA96

Betriebstemperatur:-40℃ zu 105℃
MT53D768M32D2NP-046 WT:A 24 Gbit LPDDR4 SDRAM Speicher IC Chip mit 2,133 GHz Geschwindigkeit in WFBGA-200 Paket

Teilenummer:MT53D768M32D2NP-046 WT:A

Speichergröße:24 Gbit

Organisation:768 M x 32
H9HCNNN8KUML-HRNME Low Power 8Gb LPDDR4 Synchroner DRAM Speicher-IC Chip im BGA-200 Gehäuse

Teilenummer:H9HCNNN8KUML-HRNME

Paket:BGA-200

Speichergröße:8 GB
GD25Q128EYIG 128Mbit 133MHz Quad SPI Flash NOR-Speicher-IC-Chip mit Quad-I/O-Schnittstelle

Teilenummer:GD25Q128EYIG

Speichergröße::128 Mbit

Versorgungsspannung - min::2,7 V
IS43DR16640B-25DBLI 1 Gbit 400 MHz DDR2 SDRAM Speicher-IC-Chip mit 16-Bit-Datenbus

Teilenummer:IS43DR16640B-25DBLI

Speichergröße::1 Gbit

Datenbusbreite::16 Bit
TC58NVG1S3HBAI6 2 Gbit Parallel NAND-Flash-Speicherchip mit VFBGA67-Gehäuse und synchronem Timing

Teilenummer:TC58NVG1S3HBAI6

Speichergröße:2 Gbit

Organisation:256 M x 8
MT52L256M32D1PF-093 WT:B 8Gbit 1067 MHz LPDDR3 Speicher-IC-Chip mit 256M x 32 Organisation

Teilenummer:USE Gefahrenabweichung

Speichergröße:8Gbit

Organisation:256 M x 32
MT52L256M32D1PF-107 WT:B 8 Gbit 933 MHz LPDDR3 SDRAM Speicher-IC-Chip mit 256 M x 32 Organisation im FBGA178-Gehäuse

Teilenummer:MT52L256M32D1PF-107 WT:B

Speichergröße:8Gbit

Organisation:256 M x 32
MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V Mehrfach-I/O NOR-Flash-Speicher-IC, nichtflüchtig, oberflächenmontierbar

Teilenummer:MT25QL512ABB8E12-0SIT

Ausgedehnte Gerät Identifikation:zwei zusätzliche Bytes identifizieren Gerätfabrikwahlen

Unterschrift:3-byte
8 Gbit 1,866 GHz 256M x 32 Speicher-IC-Chip SDRAM LPDDR4 Speicherchips

Teilenummer:GEWICHT MT53E256M32D2DS-053: B

Speicherformat:Drama

Technologie:SDRAM - Bewegliches LPDDR4
32Gbit 3,2 GHz LPDDR5 Speicher-IC-Chip MT62F512M64D4EK-031 WT:B Parallel 441-TFBGA

Teilenummer:MT2F512M64D4EK-031 WT:B

Speichergröße:32Gbit

Gedächtnisorganisation:512M x 64

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MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

NT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B

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TC58NVG1S3HBAI6 2 Gbit Parallel NAND-Flash-Speicherchip mit VFBGA67-Gehäuse und synchronem Timing

MT52L256M32D1PF-093 WT:B 8Gbit 1067 MHz LPDDR3 Speicher-IC-Chip mit 256M x 32 Organisation

MT52L256M32D1PF-107 WT:B 8 Gbit 933 MHz LPDDR3 SDRAM Speicher-IC-Chip mit 256 M x 32 Organisation im FBGA178-Gehäuse

MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V Mehrfach-I/O NOR-Flash-Speicher-IC, nichtflüchtig, oberflächenmontierbar

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32Gbit 3,2 GHz LPDDR5 Speicher-IC-Chip MT62F512M64D4EK-031 WT:B Parallel 441-TFBGA

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