China Speicher-IC-Chip

Chip der integrierten Schaltung des Chip-KLM8G1GETF-B041 8GB des Speicherchip-BGA153 IC

Teilnummer:KLM8G1GETF-B041

Schnittstelle:HS400

Spannung:1,8, 3,3 V/3,3 V
Gedächtnis IC 16Gbit parallele 1,5 Gigahertz MT40A2G8SA-062E: Chip f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT40A2G8SA-062E: F

Produkt-Status:Aktiv

Gedächtnis-Art:Flüchtig
Speicher-IC-Chip MTA18ASF2G72HZ-3G2R1 16 GB Speicherkarten Module

Teilnummer:MTA18ASF2G72HZ-3G2R1

Produktstatus:Aktiv

Speichertypen:DDR4 SDRAM
Chip MT53D512M16D1DS-046 IT der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC 16Gbit BGA D 8G

Teilnummer:MT53D512M16D1DS-046 IT: D

Datenbus-Breite:Bit 16

Organisation:512 M x 16
Speicher-IC-Chip MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA Oberflächenhalter

Teilnummer:MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B

Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:18ns
32Gbit Gedächtnis IC MT53E1G32D2FW-046 AAT: Chip 200-TFBGA b-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT53E1G32D2FW-046 AAT: B

Taktfrequenz:2,133 Gigahertz

Produkt-Status:Aktiv
Chip Integrated Circuit MT53E1G32D2FW-046 AUT: Gedächtnis IC 200-TFBGA B 2.133GHz

Teilnummer:MT53E1G32D2FW-046 AUT: B

Speicherorganisation:1G x 32

Befestigung der Art:Oberflächenberg
Chip MT61K512M32KPA-14 der integrierten Schaltung 16Gbit: Gedächtnis IC 7GHz 180-FBGA C GDDR6

Teilnummer:MT61K512M32KPA-14: C

Gedächtnis-Art:Flüchtig

Gedächtnis-Format:D-RAM
GEWICHT Chip Integrated Circuits MT53E1G32D2FW-046: Ein Paket Gedächtnis 32G ICs VFBGA-200

Teilnummer:GEWICHT MT53E1G32D2FW-046:

Datenbus-Breite:Bit 32

Minimale Betriebstemperatur:- 25 C
Gedächtnis IC BGA der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GAZAOTD-AAT

Teilnummer:MTFC128GAZAOTD-AAT

Speicherkapazität:1 TB

Produkt-Status:Aktiv
Elektronische integrierte Schaltung MT40A256M16LY-062E AAT: F 4G 256M Memory IC

Teilnummer:MT40A256M16LY-062E AAT: F

Paket:FBGA-96

Maximale Taktfrequenz:1,6 Gigahertz
Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GASAONS-IT 128 GB-BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC128GASAONS-IT

Gedächtnis-Art:Permanent

Technologie:BLITZ - NAND

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip der integrierten Schaltung des Chip-KLM8G1GETF-B041 8GB des Speicherchip-BGA153 IC

Gedächtnis IC 16Gbit parallele 1,5 Gigahertz MT40A2G8SA-062E: Chip f-integrierter Schaltung

Speicher-IC-Chip MTA18ASF2G72HZ-3G2R1 16 GB Speicherkarten Module

Chip MT53D512M16D1DS-046 IT der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC 16Gbit BGA D 8G

Speicher-IC-Chip MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA Oberflächenhalter

32Gbit Gedächtnis IC MT53E1G32D2FW-046 AAT: Chip 200-TFBGA b-integrierter Schaltung

Chip Integrated Circuit MT53E1G32D2FW-046 AUT: Gedächtnis IC 200-TFBGA B 2.133GHz

Chip MT61K512M32KPA-14 der integrierten Schaltung 16Gbit: Gedächtnis IC 7GHz 180-FBGA C GDDR6

GEWICHT Chip Integrated Circuits MT53E1G32D2FW-046: Ein Paket Gedächtnis 32G ICs VFBGA-200

Gedächtnis IC BGA der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GAZAOTD-AAT

Elektronische integrierte Schaltung MT40A256M16LY-062E AAT: F 4G 256M Memory IC

Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GASAONS-IT 128 GB-BLITZ - NAND Memory IC

Chip der integrierten Schaltung

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