China Automobil-IGBT-Module

Automobil-dreiniveaumodul des IGBT-Modul-F3L11MR12W2M1B74BOMA1 inverter-20mW IGBT

Teilnummer:F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Reihe:EasyPACK™

VDSS:1200 V
FS660R08A6P2FBBPSA1 750V 450A getrennte Module der Halbleiter-Produkt-IGBT

Teilnummer:FS660R08A6P2FBBPSA1

Vorwärtsspannung:2,50 V

PD - Verlustleistung:W 1053
Automobil-IGBT-Module F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC MOSFET-Modul

Teilnummer:F415MR12W2M1B76BOMA1

Abfluss-Quellspannung (Tvj = 25°C):1200V

Tor-Quellspannung:-10 V/20 V
1200V Automobil-IGBT Module 20mW der Vollbrücke-IGBT des Modul-F423MR12W1M1B11BOMA1

Teilnummer:F423MR12W1M1B11BOMA1

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:3,68 N-Düngung @ 800 V

Input:Standard
Fahrgestelle-Berg 1200V 75A 20mW Automobil-IGBT Modul-FS75R12KT4B11BPSA1

Teilnummer:FS75R12KT4B11BPSA1

Sc-Daten:870A

RthJC:0,145 K/W
Automobil-Halbbrücke-Modul 1200V IGBT-Modul-F411MR12W2M1B76BOMA1 4N-Channel

Teilnummer:F411MR12W2M1B76BOMA1

Konfiguration:N-Kanal 4 (Halbbrücke)

Reihe:EasyPACK™ CoolSiC™
Automobil-IGBT Module 1200V 4N-Channel Mosfet-Reihen-F423MR12W1M1PB11BPSA1

Teilnummer:F423MR12W1M1PB11BPSA1

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:50A

IDRM:100A
Des Graben-FS50R12N2T7B15BPSA2 Automobil-IGBT Module Feld-Endvollbrücke-des Inverter-

Teilnummer:FS50R12N2T7B15BPSA2

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:N-Düngung 11,1 @ 25 V

Relativer thermischer Index:140 Grad
Automobil-des IGBT-Modul-FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Modul Silikon-Karbid-4N-Channel

Teilnummer:FF2MR12W3M1HB11BPSA1

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:2,27 mOhm bei 400 A, 18 V

Lieferanten-Gerät-Paket:AG-EASY3B
Automobil-Modul-Graben-Feld-Endmodul IGBT-Modul-FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT

Teilnummer:FP50R12KT4B11BPSA1

IC-nom:225 A

ICRM:450 A
Automobil-IGBT Graben 2Independent der IGBT-Modul-FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Modul-20mW

Teilnummer:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

IGBT-Typ:Graben

Konfiguration:2 unabhängig
Automobil-getrennte Module des IGBT-Modul-FP25R12KT4B11BPSA1 Halbleiter-IGBT

Teilnummer:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

PD - Verlustleistung:160 W

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Automobil-dreiniveaumodul des IGBT-Modul-F3L11MR12W2M1B74BOMA1 inverter-20mW IGBT

FS660R08A6P2FBBPSA1 750V 450A getrennte Module der Halbleiter-Produkt-IGBT

Automobil-IGBT-Module F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC MOSFET-Modul

1200V Automobil-IGBT Module 20mW der Vollbrücke-IGBT des Modul-F423MR12W1M1B11BOMA1

Fahrgestelle-Berg 1200V 75A 20mW Automobil-IGBT Modul-FS75R12KT4B11BPSA1

Automobil-Halbbrücke-Modul 1200V IGBT-Modul-F411MR12W2M1B76BOMA1 4N-Channel

Automobil-IGBT Module 1200V 4N-Channel Mosfet-Reihen-F423MR12W1M1PB11BPSA1

Des Graben-FS50R12N2T7B15BPSA2 Automobil-IGBT Module Feld-Endvollbrücke-des Inverter-

Automobil-des IGBT-Modul-FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Modul Silikon-Karbid-4N-Channel

Automobil-Modul-Graben-Feld-Endmodul IGBT-Modul-FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT

Automobil-IGBT Graben 2Independent der IGBT-Modul-FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Modul-20mW

Automobil-getrennte Module des IGBT-Modul-FP25R12KT4B11BPSA1 Halbleiter-IGBT

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver