China Chip der integrierten Schaltung

Integrierter Schaltkreis-Chip STGIB30M60S 3-Phasen-Wechselrichter 35A 600V Kurzschluss robust IGBT

Min Bestellmenge:10

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Verpackung Informationen:Standardpaket
Integrierter Schaltkreislauf Chip UJ4C075044K4S Verstärkung SiC MOSFET Transistor TO-247-4

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Brett-Berg-gegenwärtige Sensoren IC der integrierten Schaltung des Chip-TLE4971A050N5E0001XUMA1

Teilnummer:TLE4971A050N5E0001XUMA1

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung

Paket:8-PowerTDFN
8-PowerTDFN Oberflächenkanal-Strom-Sensor IC des berg-TLE4971A025N5E0001XUMA1 25A 1

Teilnummer:TLE4971A025N5E0001XUMA1

Empfindlichkeit:48mV/A

Anzahl der Kanäle:1
Analog-Digitalkonverter 35-WLCSP der integrierten Schaltung des Chip-AD4130-8BCBZ 24Bit

Teilnummer:AD4130-8BCBZ

Architektur:Sigma-Delta

Betriebstemperatur:-40 °C ~ 105 °C
Hohes nichtisoliertes PoL Module 25-BFLGA Abwärtsmodul der Leistungsfähigkeits-LTM4658IV 10A

Teilnummer:LTM4658IV

Eingangsspannung, Minute:2,25 V

Ruhestrom:1,6 MA
Gegenwärtiger Kanal Hall Effect der integrierten Schaltung des Chip-TLE4972AE35S5XUMA1 des Sensor-2000A 1

Teilnummer:TLE4972AE35S5XUMA1

Empfindlichkeit:62mV/mT

Häufigkeit:210kHz
Oberflächenkanal Hall Effect Current Sensor IC des berg-TLI4971A075T5UE0001XUMA1 75A 1

Teilnummer:TLI4971A075T5UE0001XUMA1

Für die Messung:AC/DC

Linearität:±2.25%
Chip 650V der integrierten Schaltung der Transistor-IPP65R050CFD7A einzelne FETs-Transistoren TO-220-3

Teilnummer:IPP65R050CFD7A

Pulsierter Abflussstrom (maximal):211A

Gate-Source-Spannung (statisch) - maximal:20 V
Chip der integrierten Schaltung der n-Kanal IPP65R190CFD7A einzelner FETs MOSFETs-Transistor-TO-220-3

Teilnummer:IPP65R190CFD7A

Vgs(th) (Max) @ Id:4.5V @ 320µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs:190mOhm @ 6.4A, 10V
Integrierte Schaltung Chip PCA2131TF Automobil hochgenaue Echtzeituhr

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Integrierter Schaltkreislauf Chip 8A34001E-000AJG8 Achtkanal-Systemsynchronisator für IEEE 1588

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