China Chip der integrierten Schaltung

Integrierter Schaltkreislauf Chip FGH75T65UPD-F085 IGBT Transistoren TO-247-3 Trench Field Stop

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Integrierte Schaltkreischip FGH75T65UPD-F155 Trench Field Stop 650V IGBT-Transistoren

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Integrierter Schaltkreislauf Chip FGH75T65SQDTL4 650V 150A Einzel IGBT Transistoren TO-247-4

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Integrierter Schaltkreislauf Chip BSC010NE2LSI Einzel OptiMOSTM MOSFET N-Kanal-Transistor

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Integrierter Schaltkreis-Chip SY75612TWL 160MHz Fanout Puffer mit Ausgangsfunktion VQFN-56

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D2PAK-7 Oberflächenc$n-kanal des berg-NVBG080N120SC1 einzelne FETs-Transistoren

Teilnummer:NVBG080N120SC1

Anzahl der Kanäle:1 Kanal

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:110 mOhms
Einzelne Energie MOSFET 8-LFPAK der N-Kanal-Transistor-NTMJS1D4N06CLTWG Transistoren

Teilnummer:NTMJS1D4N06CLTWG

Gate−to−Source-Spannung:20 V

Quellstrom (Körper-Diode):150A
BERG-Transistoren der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-NVBG060N090SC1 D2PAK-7

Teilnummer:NVBG060N090SC1

Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:44 A
Energie-einzelner N-Kanal-Transistor 8PQFN der integrierten Schaltung des Chip-NTMFS011N15MC 150V

Teilnummer:NTMFS011N15MC

Größe:5mm x 6mm

Verlustleistung (maximal):2.7W (Ta), 147W (Tc)
650V 145A 500W NTBG015N065SC1 Paket der N-Kanal-einzelnes Transistor-D2PAK-7

Teilnummer:NTBG015N065SC1

Antriebsspannung:15V, 18V

Machtverlust:500W (Tc)
N-Kanal-Transistoren TO-247-4L der integrierten Schaltung des Chip-NVH4L020N120SC1

Teilnummer:NVH4L020N120SC1

Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):20 V

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:220 nC @ 20 V
Chip 8-LFPAK der integrierten Schaltung der Transistor-NVMJS2D5N06CLTWG einzelner FETs-Transistor

Teilnummer:NVMJS2D5N06CLTWG

FET-Typ:N-Kanal

Packung / Gehäuse:SOT-1205, 8-LFPAK56

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650V 145A 500W NTBG015N065SC1 Paket der N-Kanal-einzelnes Transistor-D2PAK-7

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