China Chip der integrierten Schaltung

Automobil FFSH5065B-F085 bricht TO-247-2 50A 650V Silikon-Karbid-Schottky-Diode ab

Teilnummer:FFSH5065B-F085

Paket/Fall:TO-247-2

Betriebstemperatur - Kreuzung (Minute):-55°C
Automobil 1200V bricht FFSB20120A-F085 TO-263 Schottky Oberflächen-Berg Dioden-32A ab

Teilnummer:FFSB20120A-F085

Einzelimpuls-Lawinen-Energie:200mJ

Verlustleistung (TC = 25°C):333W
20A FFSB2065B-F085 Automobil-Chips Silikon-Karbid-Schottky-Dioden-TO-263-3

Teilnummer:FFSB2065B-F085

Kapazitanz @ Vr, F:866pF @ 1V, 100kHz

Betriebstemperatur - Kreuzung (Minute):-55°C
Integrierte Schaltkreischip IKQ120N60T IGBT-Transistoren mit Anti-Paralleldiode in TO-247-Packung

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IHW20N120R5 1200V 20A IGBT-Transistoren mit Anti-Paralleldiode

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Integrierter Schaltkreislauf IKZA75N65SS5 650V 75A IGBT Diskret mit Silikonkarbid Schottky Diode

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Integrierter Schaltkreislauf IKB40N65ES5ATMA1 Hochgeschwindigkeits-IGBT-Transistoren mit Anti-Paralleldiode

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IGB50N65S5ATMA1 650V 50A IGBT-Transistoren mit Anti-Paralleldiode

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Integrierte Schaltkreischip IKD15N60RC2ATMA1 IGBT-diskrete Transistoren mit umgekehrtem Leitantrieb 2-Diode

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IGBT-Transistoren mit monolithisch integrierter umgekehrter Leitung

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IHW30N65R6XKSA1 650V 30A IGBT-Transistoren mit monolithisch integrierter Diode

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IHW50N65R6XKSA1 650V 30A IGBT-Transistoren mit monolithisch integrierter Diode

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