China Chip der integrierten Schaltung

Integrierte Schaltkreis-Chips IKW25N120H3FKSA1 Hochgeschwindigkeits-IGBT-Grench-Feld-Stop 1200V-Transistoren

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IXYA30N120A3HV IGBT-Transistoren zu-263HV IGBT-Diskret

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Integrierter Schaltkreislauf MMIX1X340N65B4 1,2 kW 650V 450A Einzel IGBT-Transistoren

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IRFPW4468PBF Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V StrongIRFETTM N-Kanal-Leistungs-MOSFETs Transistoren

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IPW65R060CM8 integrierte Schaltkreis-Chip 650V CoolMOSTM 8 N-Kanal-Leistungstransistoren TO-247-3

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IPW65R025CM8 Integrierter Schaltkreis Chip CoolMOSTM 8 N-Kanal-Leistungstransistoren für Server

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IPT65R025CM8 integrierte Schaltkreis-Chip 650V CoolMOSTM 8 Leistungstransistoren für EV-Ladung

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IPW65R018CM8 Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V 116A CoolMOSTM 8 N-Kanal Leistungstransistoren

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Chip IKY75N120CH7XKSA1 IGBT der integrierten Schaltung mit anti-paralleler Diode TO-247-4

Teilnummer:IKY75N120CH7XKSA1

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):83 A

Macht- maximales:549 W
Automobil FFSP1065B-F085 bricht TO-220-2 650V Silikon-Karbid-Gleichrichter-Schottky-Diode ab

Teilnummer:FFSP1065B-F085

Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal):650 V

Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn:1,7 V @ 10 A
Automobil FFSH5065B-F085 bricht TO-247-2 50A 650V Silikon-Karbid-Schottky-Diode ab

Teilnummer:FFSH5065B-F085

Paket/Fall:TO-247-2

Betriebstemperatur - Kreuzung (Minute):-55°C
Automobil 1200V bricht FFSB20120A-F085 TO-263 Schottky Oberflächen-Berg Dioden-32A ab

Teilnummer:FFSB20120A-F085

Einzelimpuls-Lawinen-Energie:200mJ

Verlustleistung (TC = 25°C):333W

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