China Chip der integrierten Schaltung

STW35N60DM2 Integrierter Schaltkreislauf 600V 28A MOSFET-Transistoren mit N-Kanal-Leistung

Teilnummer:Stellvertretung

Transistor-Polarität:N-Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:600 V
IPT60R035CFD7 109nC 351W Leistungs-MOSFET-Transistor HSOF8

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
BSC010N04LST Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOSTM 5 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren TDSON-8

Teilnummer:BSC010N04LST

Transistorpolarität::N-Kanal

Zahl von Kanälen::1 Kanal
IPW60R120P7 Integrierter Schaltkreislauf 600V N-Kanal-MOSFET-Transistoren TO-247-3

Teilnummer:IPW60R120P7

Transistorpolarität::N-Kanal

Zahl von Kanälen::1 Kanal
STGB19NC60KDT4 Integrierter Schaltkreislauf Chip 20A 600V Kurzschluss robuste IGBT-Transistoren

Teilnummer:Die Bezeichnung "SGB19NC60KDT4"

Aufbau::Einzigartig

Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::600 V
IKA15N60T Integrierter Schaltkreislauf Chip 600V 15A IGBT Transistoren TO-220-3 Paket

Teilnummer:IKA15N60T

Aufbau::Einzigartig

Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::600 V
IPC100N04S5-1R9 Integrierter Schaltkreislauf 40V OptiMOSTM-5 Transistoren für Automobil

Teilnummer:IPC100N04S5-1R9

Technologie:Si

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):40 V
IKW40N65H5 Integrierte Schaltkreischip Hochgeschwindigkeit 650V 40A IGBT Transistoren TO-247-3

Teilnummer:IKW40N65H5

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):650 V

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):74 A
BSC0901NSI Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 100A N-Kanal Leistung MOSFET Transistoren

Teilnummer:BSC0901NSI

Transistorpolarität::N-Kanal

Zahl von Kanälen::1 Kanal
IGW30N60H3 Integrierter Schaltkreislauf 600V 30A Einzel IGBT-Transistoren TO-247

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
IGW20N60H3 Integrierter Schaltkreislauf-Chip Hochgeschwindigkeit 600V 20A IGBT-Transistoren TO-247-3

Teilnummer:IGW20N60H3

Aufbau::Einzigartig

Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::600 V
A2T27S020GNR1 Integrierter Schaltkreis Chip N-Kanal-Verstärkung Modus HF-Leistung LDMOS-Transistoren

Teilnummer:A2T27S020GNR1

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung::65 V

break:400 MHz bis 2,7 GHz

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