China Chip der integrierten Schaltung

IXTP160N10T Integrierter Schaltkreis-Chip N-Kanal-Verstärkungsmodus 100V 160A Leistungs-MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IXTP160N10T

FET-Typ:N-Kanal

Technologie:MOSFET (Metalloxid)
BSC026N08NS5 Integrierter Schaltkreislauf Chip 80V OptiMOSTM 5 Leistungs-MOSFET-Transistoren

Teilnummer:BSC026N08NS5

Technologie:Si

Transistor-Polarität:N-Kanal
IPB100N04S4-H2 Integrierter Schaltkreislauf Chip 40V OptiMOS-T2 Transistoren für die Automobilindustrie

Teilnummer:IPB100N04S4-H2

Transistor-Polarität:N-Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:40 V
IPDD60R050G7 Integrierter Schaltkreislauf 600V N-Kanal-MOSFET-Transistoren HDSOP-10

Teilnummer:IPDD60R050G7

Transistor-Polarität:N-Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:600 V
IPB042N10N3G Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V OptiMOSTM Leistungs-MOSFET-Transistoren TO-263-3

Teilnummer:IPB042N10N3G

Reihe:OptiMOS™

FET-Typ:N-Kanal
IPP051N15N5 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 150V N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IPP051N15N5

Größe:15.65 mm

Länge:10 mm
SPA11N80C3 Integrierter Schaltkreis-Chip CoolMOS N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren TO-220FP-3 Paket

Teilnummer:SPA11N80C3

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung::800 V

ID - Kontinuierlicher Drainstrom::11 A
IAUT165N08S5N029 Integrierter Schaltkreislauf 80V 2,9 mΩ OptiMOSTM-5 Transistoren für die Automobilindustrie

Teilnummer:Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen und zu verarbeiten.

Transistorpolarität::N-Kanal

Zahl von Kanälen::1 Kanal
IRFH5215TRPBF Integrierter Schaltkreislauf Chip 150V StrongIRFETTM Leistungs-MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IRFH5215TRPBF

Transistor-Polarität:N-Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:150 V
IPB60R045P7 Integrierter Schaltkreislauf 600V N-Kanal-MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IPB60R045P7

Betriebstemperatur:-55 °C bis 150 °C

Paket:PG-TO263-3
IPA60R099P7 Integrierter Schaltkreislauf Chip N-Kanal-MOSFET-Transistoren PG-TO220-3

Teilnummer:IPA60R099P7

Betriebstemperatur:-55 °C bis 150 °C

Paket:PG-TO220-3
SPD06N80C3 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 800V CoolMOS Power MOSFET Transistor zu-252-3

Teilnummer:Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung::800 V

ID - Kontinuierlicher Drainstrom::6 A

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IPDD60R050G7 Integrierter Schaltkreislauf 600V N-Kanal-MOSFET-Transistoren HDSOP-10

IPB042N10N3G Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V OptiMOSTM Leistungs-MOSFET-Transistoren TO-263-3

IPP051N15N5 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 150V N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren

SPA11N80C3 Integrierter Schaltkreis-Chip CoolMOS N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren TO-220FP-3 Paket

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