China Chip der integrierten Schaltung

einzelner Chip TO-268-3 der integrierten Schaltung der Gleichrichter-1200V der Dioden-MSC050SDA120S

Teilnummer:MSC050SDA120S

Maximale DC-Sperrspannung:1200V

Technologie:Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Gleichrichter-einzelne Dioden TO-247-2 der integrierten Schaltung 30A des Chip-MSC030SDA120B

Teilnummer:MSC030SDA120B

Maximales DC-vorderesgegenwärtiges TC = °C 25:60A

Paket/Fall:TO-247-2
Karbid-Schottkys MSC030SDA120K TO-220-2 des Silikon-70A Gleichrichter-einzelne Dioden

Teilnummer:MSC030SDA120K

Kapazitanz @ Vr, F:141pF @ 400V, 1MHz

Befestigung der Art:Durch Loch
Gleichrichter sondern Dioden der integrierten Schaltung der Dioden-MSC020SDA120K des Chip-TO-220-2 49A aus

Teilnummer:MSC020SDA120K

Art:Gleichrichter sondern Dioden aus

Technologie:Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Silikon-Karbid-Schottkys 1200V der Dioden-MSC015SDA120B Gleichrichter-einzelne Dioden TO-247

Teilnummer:MSC015SDA120B

Maximaler DC-Vorwärtsstrom (TC = °C) 145:14A

Verlustleistung (TC = 25 °C):167W
Diodengleichrichter der integrierten Schaltung des Chip-IDK02G120C5XTMA1 1200V 11.8A

Teilnummer:IDK02G120C5XTMA1

Wenn - Vorwärtsstrom:2 A

Konfiguration:Einzeln
Diodengleichrichter-Oberflächenberg der integrierten Schaltung des Chip-IDK08G120C5XTMA1 einzelner

Teilnummer:IDK08G120C5XTMA1

Geschwindigkeit:Keine Genesungszeit > 500mA (Io)

Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr:µA 40 @ 1200 V
Diodengleichrichter TO-263-3 1200V 40A Oberflächeneinzelne berg-IDK16G120C5XTMA1

Teilnummer:IDK16G120C5XTMA1

Ich (FSM) maximal:140 A

WENN maximal:16 A
Durch Karbid-Schottkys des Loch-IDWD15G120C5XKSA1 Silicion einzelne Diodengleichrichter

Teilnummer:IDWD15G120C5XKSA1

Vr - Sperrspannung:1,2 kV

RthJC:0,8 K/W
Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 Silikon-Karbid-Schottkys AIDK12S65C5ATMA1 650V

Teilnummer:AIDK12S65C5ATMA1

Ir - Rückstrom:70 uA

Lieferanten-Gerät-Paket:PG-TO263-2
Bricht einzelnes Automobil der Gleichrichter-FFSB0865B-F085 der Dioden-TO-263-2 Diode 650V Schottky ab

Teilnummer:FFSB0865B-F085

Rückgenesungszeit (trr):0 ns

Verlustleistung (TC = 150°C):12W
Automobil bricht FFSB0665B-F085 TO-263-2 Diode der Gleichrichter-einzelne Dioden-650V 8A Schottky ab

Teilnummer:FFSB0665B-F085

Lawine veranschlagt:24,5 mJ

Max Junction Temperature:175°C

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Diodengleichrichter TO-263-3 1200V 40A Oberflächeneinzelne berg-IDK16G120C5XTMA1

Durch Karbid-Schottkys des Loch-IDWD15G120C5XKSA1 Silicion einzelne Diodengleichrichter

Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 Silikon-Karbid-Schottkys AIDK12S65C5ATMA1 650V

Bricht einzelnes Automobil der Gleichrichter-FFSB0865B-F085 der Dioden-TO-263-2 Diode 650V Schottky ab

Automobil bricht FFSB0665B-F085 TO-263-2 Diode der Gleichrichter-einzelne Dioden-650V 8A Schottky ab

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