China Chip der integrierten Schaltung

IDW10G65C5 Integrierter Schaltkreislauf Chip CoolSiC Schottky Diode 600V SiC Schottky Barriere Diode

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IDW12G65C5 Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolSiCTM Schottky Barrieredioden PG-TO247-3

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IDW15E65D2 Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V 15A Leistung Siliziumdioden TO-247-3

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IDW15G120C5B Integrierter Schaltkreislaufchip 1200V 15A Siliziumkarbid Schottky Diode TO-247-3

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IDW20C65D2 Integrierter Schaltkreis Chip Siliziumdioden 650V 20A Siliziumstromdioden

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IDW30C65D1 Integrierter Schaltkreislauf 600V 30A Siliziumdioden PG-TO247-3 Dioden

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IDW30E60 Integrierter Schaltkreis Chip Silizium-Leistungsdioden PG-TO247-3 Siliziumdioden

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IDW30E65D1 Integrierter Schaltkreislauf 650V Siliziumdiode in PG-TO247-3-Packung

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Gleichrichter sondern nullwiederaufnahme der integrierten Schaltung der Dioden-MSC050SDA170B SIC des Chip-TO-247-3 aus

Teilnummer:MSC050SDA170B

Technologie:Sic (Silikon-Karbid) Schottky

Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn:1,8 V @ 50 A
Gleichrichter-einzelne Dioden TO-247-2 SIC-integrierter Schaltung des Chip-MSC030SDA170B durch Loch

Teilnummer:MSC030SDA170B

thermischer Widerstand des Kreuzung-zu-Falles (Art):0,24 °C/W

Vorwärtsspannung (WENN = 30 A, TJ = 25 °C) Art:1.5V
SIC-integrierter Schaltung des Chip-MSC090SDA330B2 Diode Gleichrichter-einzelne der Dioden-TO-247-2 sic

Teilnummer:MSC090SDA330B2

Spannung - DC-Rückseite (Vr):3300V (maximal)

Spannung - Vorwärts (Vf) @ wenn:2.4V @ 90A (maximal)
Sic Schottkys MSC050SDA120BCT Chip der integrierten Schaltung der Gleichrichter-einzelner Dioden-TO-247-3

Teilnummer:MSC050SDA120BCT

Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io):109A

Paket/Fall:TO-247-3

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Gleichrichter-einzelne Dioden TO-247-2 SIC-integrierter Schaltung des Chip-MSC030SDA170B durch Loch

SIC-integrierter Schaltung des Chip-MSC090SDA330B2 Diode Gleichrichter-einzelne der Dioden-TO-247-2 sic

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