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Erwerb treiben Pseudo-SRAM-Gedächtnis IC, Erwerb New Energy IC, Erwerb Module und IC-Chips an Erwerb Pseudo-SRAM-Gedächtnis IC S27KL0642GABHA020 ist Automobilpseudo-SRAM Gedächtnis IC (85°C) HyperBus HYPERRAM GEN 2,0 64MBit 3.0V in 24-FBGA. Teilnummer: S27KL0642GABHA020 Produkt-Art: D-RAM Paket/Fall... Lesen Sie weiter
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Tor-Fahrer-Capacitive Couplings 5700Vrms 1 ISO5452QDWRQ1 2.7A 5.5A Kanal 16-SOIC Produkt-BeschreibungISO5452QDWRQ1 ist ein 5.7-kVRMS, verstärkter lokalisierter ein Torfahrer für IGBTs und MOSFETs mit aufgeteilten Ertrag, OUTH und OUTL und stellt Quelle 2.5-A und Strom der Wanne 5-A zur Verfügung. ... Lesen Sie weiter
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Erwerbs-Ethernet-Chips, Erwerbs-Ethernet-Schalter, Erwerbs-Ethernet-Module Elektronik Co., Ltd. Shenzhens Mingjiada ist ein weltberühmter Recycler des elektronischen Bauelements, der eine langfristige Verpflichtung in den ausführlichen vertikalen Services, wie Kauf des persönlichen Inventars, des ... Lesen Sie weiter
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Versorgung IC brechen Transistoren 1200V 36A 176W IKW15N120CS7XKSA1 IGBT durch Loch PG-TO247-3 ab Produkt-Beschreibung von IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 1200 V/15 EIN TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 einröhrig für harte Schaltung in einem Paket TO-247 mit Diode EC7. Spezifikation von IKW15N120CS7XKSA1 ... Lesen Sie weiter
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Bereiten Sie Mikroregler MCU IC, Transistoren, Tor-Fahrer IC, Flash-Speicher IC auf Besondere bereiten Prozess auf:1. Sie können Ihre IC-/moduleaktien einfach klassifizieren und das Modell, die Marke, das Produktionsdatum, die Quantität, das etc. identifizieren.2. Schicken Sie unserem Bewertungsteam ... Lesen Sie weiter
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Durch Loch IKQ120N120CS7XKSA1 graben IGBT Feld-Endtransistoren Produkt-BeschreibungIKQ120N120CS7XKSA1 IGBT kennzeichnet eine 1200 v-Kollektor-Emitter Blockierspannungsfähigkeit. Produkteigenschaften Konfiguration: Einzeln Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: 1,2 KV Kollektor-Emitter Sättigungs... Lesen Sie weiter
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