Durch Loch IKQ120N120CS7XKSA1 graben IGBT Feld-Endtransistoren
Produkt-Beschreibung
IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT kennzeichnet eine 1200 v-Kollektor-Emitter Blockierspannungsfähigkeit.
Produkteigenschaften
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Einzeln |
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1,2 KV |
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1,65 V |
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- 20 V, 20 V |
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216 A |
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W 1004 |
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- 40 C |
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+ 175 C |
Eigenschaften
IGBT mit-bepackt mit voller gegenwärtiger, weicher und niedriger Qrr-Diode
Niedrige Sättigungsspannung VCEsat = 2,0 V an Tvj = an 175°C
FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.
Ansprechpartner: Mr. Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753