Wir präsentieren den WNSCM160120W N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET-Transistor! Entwickelt für Hochfrequenz- und Hocheffizienzanwendungen, zeichnet er sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine einfache 0V-Ausschalt-Gate-Spannung aus. RoHS-konform und einfach zu parallelisieren, ist er perfekt für Schaltnetzteile, EV-Ladegeräte und mehr. Entdecken Sie noch heute unser Sortiment an elektronischen Bauteilen! Besuchen Sie unsere Website!