Die Einführung des IPD70R360P7S integrierten Schaltkreislauf-Chip, ein hocheffizientes CoolMOSTM P7 N-Channel Power MOSFET mit einer 700-Volt-Abflussspannung, 12,5A Dauerstrom und nur 360mOhm Rds On,Es ist für eine überlegene thermische Leistung und geringe Schaltverluste konzipiert.. Ideal für Adapter, Ladegeräte und industrielle Anwendungen, unterstützt es Hochgeschwindigkeitsschaltungen und bietet eine hervorragende ESD-Ruggedness.
Siehe Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 des Rates vom 21. Dezember 2009 über die Einführung eines Systems zur Überwachung der Einhaltung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 festgelegten Vorschriften für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 festgelegten Mindestmengen.