Die Einführung des IXFH60N50P3 Integrated Circuit Chips, eines leistungsstarken N-Channel Enhancement Power MOSFET, das mit 500V und 60A umgehen kann.Mit einem niedrigen RDS ((On) von nur 100 mOhms und schnellen Schaltzeiten, ideal für Schaltanlagen, Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler und Robotik. RoHS-konform und für eine einfache Montage konzipiert, ist es perfekt für Hochleistungsanwendungen. Mehr erfahren Sie auf unserer Website!
Siehe Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 des Europäischen Parlaments und des Rates vom 21. Dezember 2008 über die Harmonisierung der Rechtsvorschriften der Mitgliedstaaten über die Verwendung von Elektrofahrzeugen (ABl.