Brief: Entdecken Sie den integrierten Schaltkreis-Chip STL26N60DM6, einen Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der MDmesh DM6-Serie. Mit 600 V und 15 A Nennwerten verfügt er über schnelle Erholungsdioden, niedrigen RDS(on) und ausgezeichnetes Schaltverhalten für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler.
Related Product Features:
Schnelle Erholung der Body-Diode für effiziente Leistung.
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu früheren Generationen.
Geringe Gate-Ladung, Eingangskapazität und -widerstand.
100% lawinengetestet für Zuverlässigkeit.
Extrem hohe dv/dt-Festigkeit.
Zener-geschützt für erhöhte Sicherheit.
Geeignet für anspruchsvolle Schaltanwendungen.
Funktioniert in einem weiten Temperaturbereich von -55℃ bis +150℃.
Fragen und Antworten:
Sind Ihre Produkte originell?
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