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STGW80H65DFB Integrierte Schaltung Chip Trench Gate Feld-Stop Hochgeschwindigkeits-HB-Serie IGBT-Transistoren

Chip der integrierten Schaltung
May 29, 2025
Kategorieverbindung: Chip der integrierten Schaltung
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Die Einführung des STGW80H65DFB Integrated Circuit Chips, eines Hochgeschwindigkeits-IGBT-Transistors der HB-Serie, mit einer Abbruchspannung von 650V und einem maximalen Strom von 120A,Es gewährleistet eine optimale Effizienz bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Diese RoHS-konforme Komponente ist ideal für Photovoltaik-Wechselrichter und Hochfrequenzwandler geeignet.

Dies bedeutet, dass die Anwendungsberechtigung für die Bereitstellung der erforderlichen Leistungskapazität und die Bereitstellung der erforderlichen Leistungskapazität in den einzelnen Mitgliedstaaten nicht überschritten werden darf.
Stichworte:
#Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung #TUSB1002ARGER Zweikanallineares #Integrierte Chips QFN24
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