Einführung von NTMFS4925NT1G, einem 30V N-Channel Power MOSFET Transistor mit niedrigem RDS ((on) zur Minimierung von Leitverlusten, niedriger Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten,und optimierte Torladung, um Schaltverluste zu minimieren, ideal für hochseitige synchrone Gleichspannungs-Gleichspannungswandler, Vcore/GPUcore/VRM-Hochspannungsregelung und Notebook-Batterieverwaltung.
Siehe Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 715/2009 des Rates vom 21. Dezember 2009 über die Einführung eines Systems zur Überwachung der Einhaltung der Vorschriften der Richtlinie 95/46/EG des Europäischen Parlaments und des Rates (ABl.