Startseite Produkte

GaN IC

China GaN IC

Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Anforderungen gelten für die Berechnung der in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG enthaltenen Daten.

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 N-Kanal 600V 15A Erweiterungsmodus Transistor 8-LDFN

Teilnummer:Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten

Vgs (maximal):-10 V

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:157 pF @ 400 V
Einheit für die Bereitstellung von Spannungssysteme für die Bereitstellung von Spannungssystemen

Teilnummer:IGLR60R340D1XUMA1

FET-Typ:N-Kanal

Technologie:GaNFET (Galliumnitrid)
GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

Teilnummer:Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten

Vgs(th) (Max) @ Id:1.6V @ 960μA

Vgs (maximal):-10 V
GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

Teilnummer:IGLR60R190D1XUMA1

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung

Betriebstemperatur:-40 °C bis 150 °C (TJ)
Einheitliche Antriebsstromversorgung

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Ein solcher Anschluss ist nicht möglich.

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Einheitliche Anschlüsse

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Einheit für die Bereitstellung von Messgeräten für die Bereitstellung von Messmitteln

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Einheitliche Antriebe für die Bereitstellung von Strom

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Einheit für den Antrieb des Netzteilschalters NV6113-RA

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Schnellladeprotokoll-Chip SC2001QDER Bis zu 4 Gruppen von DPDM-Signalsteuerung

Teilnummer:SC2001QDER

Nennspannung:30 V

Größe:4 mm x 4 mm x 0,75 mm

Page 3 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

Kategorien durchsuchen：

GaN IC

China GaN IC

Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführten Anforderungen gelten für die Berechnung der in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG enthaltenen Daten.

GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 N-Kanal 600V 15A Erweiterungsmodus Transistor 8-LDFN

Einheit für die Bereitstellung von Spannungssysteme für die Bereitstellung von Spannungssystemen

GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

Einheitliche Antriebsstromversorgung

Ein solcher Anschluss ist nicht möglich.

Einheitliche Anschlüsse

Einheit für die Bereitstellung von Messgeräten für die Bereitstellung von Messmitteln

Einheitliche Antriebe für die Bereitstellung von Strom

Einheit für den Antrieb des Netzteilschalters NV6113-RA

Schnellladeprotokoll-Chip SC2001QDER Bis zu 4 Gruppen von DPDM-Signalsteuerung

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver