Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:64Gbit
Gedächtnisorganisation:2G x 32
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Spannung - Versorgung:1.06V | 1.17V
Betriebstemperatur:-25°C | 85°C
Teilnummer:GEWICHT MT53E256M32D2DS-053: B
Speicherformat:DRAM
Technologie:SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:4 Gbit
Datenbusbreite:16 Bit
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:4 Gbit
Spannung - Versorgung:1.1V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Datenbus-Breite::Bit 32
Speicherkapazität::8 Gbit
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Betriebstemperatur:-40°C | 125°C (TC)
Spannung - Versorgung:1.06V | 1.17V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Datenbus-Breite::Bit 32
Maximale Taktfrequenz::2,133 Gigahertz
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:18ns
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Organisation::384 M x 32
Paket:VFBGA-200
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Mindestbetriebstemperatur:- 30 C
Höchstbetriebstemperatur:+ 85 °C
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Organisation:768 M x 64
Versorgungsspannung - Max:1.1 V