Teilnummer:MT40A1G16KH-062E AUT: E
Produktkategorie:DRAM
Versorgungs-Spannung - maximal:1,26 V
Teilnummer:MT40A1G16KNR-062E: E
Reihe:MT40A
Gedächtnis-Art:Flüchtig
Teilnummer:MTA18ASF2G72HZ-2G6E1
Übertragungsrate (Mb/s, MT/s, MHZ):2666
Betriebsstoff Voltag:1.2 V
Teilnummer:MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B
Gedächtnis-Art:Flüchtig
Gedächtnis-Format:D-RAM
Teilnummer:MT41K64M16TW-107 AUT: J
Zugriffszeit:20 ns
Spannung - Versorgung:1.283V | 1.45V
Teilnummer:MT40A4G8NEA-062E: F
Produkt-Kategorie:D-RAM
Zugriffzeit:13,75 ns
Teilnummer:GEWICHT MT53E512M32D1NP-046: B
Paket/Fall:200-WFBGA
Größe:10mm x 14.5mm
Teilnummer:GEWICHT MT62F1G64D8CH-031: B
Speicherkapazität:64Gbit
Speicherorganisation:1G x 64
Teilnummer:MT40A2G8SA-062E IT: F
Größe:7.5mm x 11mm
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:15ns
Teilnummer:MT40A1G16TB-062E IT: F
Technologie:SDRAM - DDR4
Pseudooffenabfluß Input/Output:1.2V
Teilnummer:MT40A1G16KH-062E AIT: E
Art:SDRAM - DDR4
Datenbus-Breite:Bit 16
Teilnummer:S80KS5122GABHA023
Speicheroberfläche:HyperBus
Uhrfrequenz:200 MHz