China Speicher-IC-Chip

Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT: SDRAM-bewegliches Gedächtnis IC B

Teilnummer:MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B

Gedächtnis-Art:Flüchtig

Gedächtnis-Format:D-RAM
Speicher-IC Chip MT41K64M16TW-107 AUT:J Automotive DDR3L SDRAM 96FBGA Speicher-IC

Teilnummer:MT41K64M16TW-107 AUT: J

Zugriffszeit:20 ns

Spannung - Versorgung:1.283V | 1.45V
SDRAM - DDR4 Gedächtnis IC MT40A4G8NEA-062E: F DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

Teilnummer:MT40A4G8NEA-062E: F

Produkt-Kategorie:D-RAM

Zugriffzeit:13,75 ns
Integrierter Schaltungschip MT53E512M32D1NP-046 WT:B Speicher IC 200WFBGA IC MEMORY DRAM

Teilnummer:GEWICHT MT53E512M32D1NP-046: B

Paket/Fall:200-WFBGA

Größe:10mm x 14.5mm
Gedächtnis LPDDR5 SDRAMs bewegliches GEWICHT ICs MT62F1G64D8CH-031: Chip integrierter Schaltung B BGA496

Teilnummer:GEWICHT MT62F1G64D8CH-031: B

Speicherkapazität:64Gbit

Speicherorganisation:1G x 64
Chip MT40A2G8SA-062E IT der integrierten Schaltung: Chip ICs 78FBGA IC Gedächtnis F SDRAM DDR4

Teilnummer:MT40A2G8SA-062E IT: F

Größe:7.5mm x 11mm

Schreibzykluszeit - Wort, Seite:15ns
Chip MT40A1G16TB-062E IT der integrierten Schaltung: Speicherchip ICs 96FBGA 16Gbit Gedächtnis F SDRAM DDR4

Teilnummer:MT40A1G16TB-062E IT: F

Technologie:SDRAM - DDR4

Pseudooffenabfluß Input/Output:1.2V
Chip MT40A1G16KH-062E AIT der integrierten Schaltung: E 1,6 Gigahertz-D-RAM DDR4 Gedächtnis IC

Teilnummer:MT40A1G16KH-062E AIT: E

Art:SDRAM - DDR4

Datenbus-Breite:Bit 16
Gedächtnis D-RAM Chip 512Mb der integrierten Schaltung S80KS5122GABHA023 mit HYPERBUS-Schnittstelle

Teilnummer:S80KS5122GABHA023

Speicheroberfläche:HyperBus

Uhrfrequenz:200 MHz
Gedächtnis IC MT40A512M16LY-062E AAT SDRAMs DDR4: Ähnlichkeit e-integrierter Schaltung des Chip-8Gbit

Teilnummer:MT40A512M16LY-062E AAT: E

Spannung - Versorgung:1.14V | 1.26V

Gedächtnis-Format:D-RAM
Oberflächenberg D-RAM S27KS0642GABHV020 HyperRAM-Gedächtnis ICs 64Mbit 24-VBGA

Teilnummer:S27KS0642GABHV020

Versorgungs-Spannung - maximal:2 V

Versorgungs-Spannung - Minute:1,7 V
Gedächtnis-Chips Self Refresh-D-RAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus S27KS0642GABHI033 200MHz

Teilnummer:S27KS0642GABHI033

Gedächtnisorganisation:8M x 8

Schnittstellen-Bandbreite:400 MByte/s

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China Speicher-IC-Chip

Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT: SDRAM-bewegliches Gedächtnis IC B

Speicher-IC Chip MT41K64M16TW-107 AUT:J Automotive DDR3L SDRAM 96FBGA Speicher-IC

SDRAM - DDR4 Gedächtnis IC MT40A4G8NEA-062E: F DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

Integrierter Schaltungschip MT53E512M32D1NP-046 WT:B Speicher IC 200WFBGA IC MEMORY DRAM

Gedächtnis LPDDR5 SDRAMs bewegliches GEWICHT ICs MT62F1G64D8CH-031: Chip integrierter Schaltung B BGA496

Chip MT40A2G8SA-062E IT der integrierten Schaltung: Chip ICs 78FBGA IC Gedächtnis F SDRAM DDR4

Chip MT40A1G16TB-062E IT der integrierten Schaltung: Speicherchip ICs 96FBGA 16Gbit Gedächtnis F SDRAM DDR4

Chip MT40A1G16KH-062E AIT der integrierten Schaltung: E 1,6 Gigahertz-D-RAM DDR4 Gedächtnis IC

Gedächtnis D-RAM Chip 512Mb der integrierten Schaltung S80KS5122GABHA023 mit HYPERBUS-Schnittstelle

Gedächtnis IC MT40A512M16LY-062E AAT SDRAMs DDR4: Ähnlichkeit e-integrierter Schaltung des Chip-8Gbit

Oberflächenberg D-RAM S27KS0642GABHV020 HyperRAM-Gedächtnis ICs 64Mbit 24-VBGA

Gedächtnis-Chips Self Refresh-D-RAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus S27KS0642GABHI033 200MHz

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver