Teilnummer:S26HS512TGABHV003
Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
Schreibzyklus-Zeit:1.7ms
Teilnummer:S80KS5122GABHI020
Unsymmetrische Uhr (CK):11 Bussignale
Technologie:D-RAM 25nm
Teilnummer:MT40A1G16KD-062E IT: E
Speichertypen:Flüchtig
Speicherformat:DRAM
Teilnummer:MT40A2G8SA-062E: F
Produkt-Status:Aktiv
Gedächtnis-Art:Flüchtig
Teilnummer:MTA18ASF2G72HZ-3G2R1
Produktstatus:Aktiv
Speichertypen:DDR4 SDRAM
Teilnummer:MT53D512M16D1DS-046 IT: D
Datenbus-Breite:Bit 16
Organisation:512 M x 16
Teilnummer:MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B
Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:18ns
Teilnummer:MT53E1G32D2FW-046 AAT: B
Taktfrequenz:2,133 Gigahertz
Produkt-Status:Aktiv
Teilnummer:MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
Speicherorganisation:1G x 32
Befestigung der Art:Oberflächenberg
Teilnummer:MT61K512M32KPA-14: C
Gedächtnis-Art:Flüchtig
Gedächtnis-Format:D-RAM
Teilnummer:GEWICHT MT53E1G32D2FW-046:
Datenbus-Breite:Bit 32
Minimale Betriebstemperatur:- 25 C
Teilnummer:MTFC128GAZAOTD-AAT
Speicherkapazität:1 TB
Produkt-Status:Aktiv