China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC BGA der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GAZAOTD-AAT

Teilnummer:MTFC128GAZAOTD-AAT

Speicherkapazität:1 TB

Produkt-Status:Aktiv
Elektronische integrierte Schaltung MT40A256M16LY-062E AAT: F 4G 256M Memory IC

Teilnummer:MT40A256M16LY-062E AAT: F

Paket:FBGA-96

Maximale Taktfrequenz:1,6 Gigahertz
Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GASAONS-IT 128 GB-BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC128GASAONS-IT

Gedächtnis-Art:Permanent

Technologie:BLITZ - NAND
Gedächtnis ICs BGA der integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GASAONS-AAT 3,3 V Oberflächenberg

Teilnummer:MTFC128GASAONS-AAT

Minimale Betriebstemperatur:- 40 C

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 105 C
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GASAONS-AIT 1Tbit 52MHz 153-TFBGA

Teilnummer:MTFC128GASAONS-AIT

Gedächtnis-Format:BLITZ

Speicherkapazität:1Tbit
Paket-elektronische integrierte Schaltung Gedächtnis 256G ICs MTFC32GAZAOTD-AIT BGA

Teilnummer:MTFC32GAZAOTD-AIT

Speicherkapazität:256 GBS

Produkt-Art:Grelle allgemeinhinlagerung
Permanentspeicher IC 153-TFBGA der integrierten Schaltung des Chip-MTFC256GASAONS-AIT

Teilnummer:MTFC256GASAONS-AIT

Gedächtnis-Art:Permanent

Speicherkapazität:2Tbit
Flash-Speicher IC 153-TFBGA IC Chip High Performance MTFC128GAZAOTD-AIT

Teilnummer:MTFC128GAZAOTD-AIT

Betriebstemperatur:-40°C | 105°C (TC)

Gedächtnis Siz:1 TB
Speicherchip NAND Memorys IC 63VFBGA BLITZ Chip MX30UF1G18AC-XKI der integrierten Schaltung

Teilnummer:MX30UF1G18AC-XKI

BLITZ:1G Stückchen SLC NAND Flash

Seitenprogrammlaufzeit:320us (Art.)
Universalflash-speicher IC Chip Integrated Circuits MTFC32GASAONS-AIT 256G

Teilnummer:MTFC32GASAONS-AIT

Speicherkapazität:256Gbit

Speicherorganisation:32G x 8
GRELLES NAND Memory Chip 153TFBGA Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC64GASAONS-IT

Teilnummer:MTFC64GASAONS-IT

Speicherkapazität:512Gbit

Gedächtnis-Schnittstelle:UFS2.1
16Gbit Speicherchip MT53E512M32D1ZW-046 IT: Chip 200TFBGA b-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT53E512M32D1ZW-046 IT: B

Taktfrequenz:2,133 Gigahertz

Gedächtnis-Schnittstelle:Parallel

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC BGA der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GAZAOTD-AAT

Elektronische integrierte Schaltung MT40A256M16LY-062E AAT: F 4G 256M Memory IC

Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GASAONS-IT 128 GB-BLITZ - NAND Memory IC

Gedächtnis ICs BGA der integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GASAONS-AAT 3,3 V Oberflächenberg

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC128GASAONS-AIT 1Tbit 52MHz 153-TFBGA

Paket-elektronische integrierte Schaltung Gedächtnis 256G ICs MTFC32GAZAOTD-AIT BGA

Permanentspeicher IC 153-TFBGA der integrierten Schaltung des Chip-MTFC256GASAONS-AIT

Flash-Speicher IC 153-TFBGA IC Chip High Performance MTFC128GAZAOTD-AIT

Speicherchip NAND Memorys IC 63VFBGA BLITZ Chip MX30UF1G18AC-XKI der integrierten Schaltung

Universalflash-speicher IC Chip Integrated Circuits MTFC32GASAONS-AIT 256G

GRELLES NAND Memory Chip 153TFBGA Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC64GASAONS-IT

16Gbit Speicherchip MT53E512M32D1ZW-046 IT: Chip 200TFBGA b-integrierter Schaltung

Chip der integrierten Schaltung

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