Teilnummer:LCMXO3L-2100E-5MG256C
Anzahl der E/Ausgänge:206
Gesamt-RAM Bits:75776
Teilnummer:XA7S6-1CPGA196Q
Generationsgeräte:45nm
LVDS:1.25Gb/s
Teilnummer:LCMXO3L-6900C-6BG256C
Reihe:LCMXO3L
Zahl von I/Os:Input/Output 206
Teilnummer:XA7S6-2CPGA196I
Versorgungs-Spannung - maximal:1 V
Versorgungs-Spannung - Minute:1 V
Teilnummer:XC6SLX100-2FGG484I
RAM-Block:Kb 18
Auswählbarer Ertrag-Antrieb:Bis 24 MA pro Stift
Teilnummer:XA7S6-1CSGA225Q
Zahl von Labors/CLBs:469
Produktstatus:Aktiv
Teilnummer:10AX016E4F29E3SG
Versorgungs-Spannung - maximal:980 Millivolt
EBR:kbit 8800
Teilnummer:10CX220YF780E6G
Funktionierende Grenzschichttemperatur:– °C 55 - 125
Stromversorgungsrampenzeit:Frau 100
Teilnummer:10CX150YU484E5G
Kernspannungsstromversorgung:– 0,50 - 1,21 V
Eingebettete Gedächtnisstromversorgung:– 0,50 - 1,36 V
Teilnummer:10CX220YF780E5G
Kernspannungsstromversorgung:– 0,50 - 1,21 V
Eingebettete Gedächtnisstromversorgung:– 0,50 - 1,36 V
Teilnummer:10CX105YU484I6G
Versorgungs-Spannung - Minute:870 Millivolt
Versorgungs-Spannung - maximal:930 Millivolt
Teilnummer:5AGXBA1D4F27C4G
Zahl von Schaltelementen:75000 LE
Zahl von I/Os:Input/Output 336