China Chip der integrierten Schaltung

Feldprogrammierbarer Chip der integrierten Schaltung der Gatteranordnungs-EP2C35F672C8N 672-FBGA

Teilnummer:EP2C35F672C8N

Versorgungs-Spannung - maximal:1,25 V

Reihe:Wirbelsturm II EP2C35
Datenerfassung analoger Front End der integrierten Schaltung des Chip-ADAS1000-3BCPZ-RL

Teilnummer:ADAS1000-3BCPZ-RL

Minimale Betriebstemperatur:- 40 C

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 85 C
Chip EP2C35F484C8N FPGA der integrierten Schaltung bricht 484-FBGA Wirbelsturm II FPGA IC ab

Teilnummer:EP2C35F484C8N

Gesamtspeicher:Bit 483840

Unterkategorie:Programmierbare Logik IC
Analoger der Paket-integrierten Schaltung Front Ends IC ADAS1000-4BSTZ-RL 64-LQFP Chip

Teilnummer:ADAS1000-4BSTZ-RL

Gewinn-Zusammenbringen:+ 2%

Analoger Führungs-Modus:6 μV pp.
Der integrierten Schaltung des Chip-EP2C35F672C7 feldprogrammierbarer Chip der Gatteranordnungs-672-FBGA IC

Teilnummer:EP2C35F672C7

Betriebstemperatur (Minute):0°C (TJ)

Größe:27mm x 27mm
Feldprogrammierbarer Chip der integrierten Schaltung der Gatteranordnungs-EP2C35F484C6N 484-FBGA

Teilnummer:EP2C35F484C6N

Reihe:Wirbelsturm II EP2C35

Produkt-Kategorie:FPGA - Feldprogrammierbare Gatteranordnung
FPGA bricht Gatteranordnung EP2C35F672C6N-integrierter Schaltung feldprogrammierbare des Chip-672-FBGA ab

Teilnummer:EP2C35F672C6N

Unterkategorie:Programmierbare Logik IC

Reihe:Cyclone® II
Programmierbare Logik IC 225-LFBGA der integrierten Schaltung des Chip-XC7S25-1CSGA225I

Teilnummer:XC7S25-1CSGA225I

Eingebetteter Block RAM:kbit 1620

Stückgewicht:32,443 g
Gatteranordnung der integrierten Schaltung EP2C35U484I8 des Wirbelsturm-II feldprogrammierbare des Chip-484-FBGA

Teilnummer:EP2C35U484I8

Lieferanten-Gerät-Paket:484-UBGA (19x19)

Operation:Bis zu 260MHz
Gatteranordnung integrierten Schaltung der IC-Chip-EP2C70F672C6N feldprogrammierbare des Chip-672-FBGA

Teilnummer:EP2C70F672C6N

Globale Uhrlinien:Bis 16 globale Uhrlinien

RAM:Bis 1,1 Mbits
Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Teilnummer:FDMT80060DC

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:20170 PF @ 30 V

Verlustleistung (maximal):3.2W (Ta), 156W (Tc)
Chip TO-247-3 SIC der integrierten Schaltung der n-Kanal-Transistor-NTHL160N120SC1 MOSFET

Teilnummer:NTHL160N120SC1

Fet-Art:N-Kanal

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V

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Analoger der Paket-integrierten Schaltung Front Ends IC ADAS1000-4BSTZ-RL 64-LQFP Chip

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