China Chip der integrierten Schaltung

Gatteranordnung der integrierten Schaltung EP2C35U484I8 des Wirbelsturm-II feldprogrammierbare des Chip-484-FBGA

Teilnummer:EP2C35U484I8

Lieferanten-Gerät-Paket:484-UBGA (19x19)

Operation:Bis zu 260MHz
Gatteranordnung integrierten Schaltung der IC-Chip-EP2C70F672C6N feldprogrammierbare des Chip-672-FBGA

Teilnummer:EP2C70F672C6N

Globale Uhrlinien:Bis 16 globale Uhrlinien

RAM:Bis 1,1 Mbits
Der integrierten Schaltung des Chip-FDMT80060DC N Transistoren Kanal-der Transistor-8-PowerVDFN

Teilnummer:FDMT80060DC

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:20170 PF @ 30 V

Verlustleistung (maximal):3.2W (Ta), 156W (Tc)
Chip TO-247-3 SIC der integrierten Schaltung der n-Kanal-Transistor-NTHL160N120SC1 MOSFET

Teilnummer:NTHL160N120SC1

Fet-Art:N-Kanal

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V
Energie N ‐ Kanal-Transistoren TO-220-3 der integrierten Schaltung des Chip-NTP095N65S3HF 650V

Teilnummer:NTP095N65S3HF

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:5V @ 860µA

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:66 nC @ 10 V
Einzelne IGBTs 80A 268W Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-FGHL50T65MQDTL4

Teilnummer:FGHL50T65MQDTL4

Produkt-Status:Aktiv

Eingegebene Art:Standard
Logik FIFOs-Gedächtnis IC 64-TQFP der integrierten Schaltung des Chip-72V255LA10TFG 100MHz

Teilnummer:72V255LA10TFG

Speicherkapazität:144K (8K x 18)

Funktion:Synchron
Feldprogrammierbarer Chip 484-FBGA der integrierten Schaltung der Gatteranordnungs-XC7A75T-1FGG484I 115mA

Teilnummer:XC7A75T-1FGG484I

Zusätzlicher Kanal-volle Entschließungs-Bandbreite (Minute):250KHz

Zahl von Labors/CLBs:5900
Digitale Signalprozessoren der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-ADSP-21364BSWZ-1AA

Teilnummer:ADSP-21364BSWZ-1AA

Schnittstelle:DAI, SPI

Permanentspeicher:ROM (512kB)
N-Kanal 1200V der integrierten Schaltung des Chip-MSC040SMA120 durch Loch-Transistoren

Teilnummer:MSC040SMA120

Produkt-Status:Aktiv

Fet-Art:N-Kanal
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070

Teilnummer:MSC035SMA070

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:44mOhm @ 30A, 20V

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:2.7V @ 2mA
Integrierter Schaltkreis-Chip, N-Kanal, 700 V, Durchgangsloch, MSC090SMA070-Transistoren

Teilnummer:MSC090SMA070

Lassen Sie Quellspannung ab:700 V

Linearer herabsetzender Faktor:0,60 W/°C

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Digitale Signalprozessoren der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-ADSP-21364BSWZ-1AA

N-Kanal 1200V der integrierten Schaltung des Chip-MSC040SMA120 durch Loch-Transistoren

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070

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