China Chip der integrierten Schaltung

Feldprogrammierbarer Chip 484-FBGA der integrierten Schaltung der Gatteranordnungs-XC7A75T-1FGG484I 115mA

Teilnummer:XC7A75T-1FGG484I

Zusätzlicher Kanal-volle Entschließungs-Bandbreite (Minute):250KHz

Zahl von Labors/CLBs:5900
Digitale Signalprozessoren der Hochleistungs-integrierten Schaltung des Chip-ADSP-21364BSWZ-1AA

Teilnummer:ADSP-21364BSWZ-1AA

Schnittstelle:DAI, SPI

Permanentspeicher:ROM (512kB)
N-Kanal 1200V der integrierten Schaltung des Chip-MSC040SMA120 durch Loch-Transistoren

Teilnummer:MSC040SMA120

Produkt-Status:Aktiv

Fet-Art:N-Kanal
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070

Teilnummer:MSC035SMA070

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:44mOhm @ 30A, 20V

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:2.7V @ 2mA
Integrierter Schaltkreis-Chip, N-Kanal, 700 V, Durchgangsloch, MSC090SMA070-Transistoren

Teilnummer:MSC090SMA070

Lassen Sie Quellspannung ab:700 V

Linearer herabsetzender Faktor:0,60 W/°C
N-Kanal 113A der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120 durch Loch-Transistoren

Teilnummer:MSC017SMA120

Ununterbrochener Abfluss-Strom:113A

Pulsierter Abfluss-Strom:280A
N-Kanal der integrierten Schaltung der Dioden-Energie-Modul-MSC2X51SDA170J des Chip-SOT-227-4

Teilnummer:MSC2X51SDA170J

Minimale Betriebstemperatur:- 55°C

Konfiguration:Doppel
Paket-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC360SMA120 1200V 360mOhm TO-247

Teilnummer:MSC360SMA120

Transistorpolarität::N-Kanal

Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:1,2 kV
Chip der integrierten Schaltung der Silikon-Karbid-Transistor-MSC035SMA170B4 1700V 68A

Teilnummer:MSC035SMA170B4

Konfiguration:Einzeln

Abfallzeit:17 ns
N-Kanal-Silikon-Karbid-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IMW120R014M1H

Teilnummer:IMW120R014M1H

Vgs - Tor-Quellspannung:- 10 V, + 23 V

Qg - Tor-Gebühr:110 nC
Silikon-Karbid-Flächentransistor IMYH200R075M1H-integrierter Schaltung des Chip-TO-247-4

Teilnummer:IMYH200R075M1H

Befestigung von Art:Durch Loch

Paket/Fall:PG-TO247-4
Einzelne Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-IMBG65R083M1H des N-Kanal-650V 28A

Teilnummer:IMBG65R083M1H

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Antriebsspannung:18v

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N-Kanal 113A der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120 durch Loch-Transistoren

N-Kanal der integrierten Schaltung der Dioden-Energie-Modul-MSC2X51SDA170J des Chip-SOT-227-4

Paket-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC360SMA120 1200V 360mOhm TO-247

Chip der integrierten Schaltung der Silikon-Karbid-Transistor-MSC035SMA170B4 1700V 68A

N-Kanal-Silikon-Karbid-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IMW120R014M1H

Silikon-Karbid-Flächentransistor IMYH200R075M1H-integrierter Schaltung des Chip-TO-247-4

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