China Chip der integrierten Schaltung

Integrierter Schaltkreislauf NTD250N65S3H N-Kanal 650V 13A Einzel-MOSFET-Transistoren

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip FDBL86210-F085 N-Kanal 150V 169A Einzel-MOSFET-Transistoren

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Integrierter Schaltkreis-Chip NTMFD5C680NLT1G N-Kanal-Mosfet-Array 60V MOSFET-Transistoren

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NVDS015N15MCT4G N-Kanal 150V MOSFET-Transistoren TO-252-3

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Integrierte Schaltkreischip NVH4L110N65S3F N-Kanal 650V 30A Einzel-MOSFET-Transistoren

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Integrierte Schaltkreischip NTMT064N65S3H N-Kanal 650V 40A MOSFET-Transistoren 4-TDFN

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NVMFWS015N10MCLT1G N-Kanal 100V 10,5A Einzel-MOSFET-Transistoren

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IPW65R155CFD7 650V MOSFET-Transistoren TO247 Paket

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Integrierte Schaltung Chip IPZ60R017C7 600V CoolMOS C7 SJ MOSFET Transistoren

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Mosfet-Transistoren 6-UDFN Graben N-Kanal des Chips BUK6D30-40EX 40V der integrierten Schaltung

Teilnummer:BUK6D30-40EX

Ausstattung:Einzigartig

Herbstzeit:33 ns
P-Kanal MOSFET-Transistoren 6-TSOP der integrierten Schaltung des Chip-PMN100EPAX 60V

Teilnummer:PMN100EPAX

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:130 mOhms

Pd - Energieverschwendung:1,7 W
Der Transistor-BUK4D122-20PX Paket P-Kanal-Graben MOSFET-Transistor-20V DFN

Teilnummer:BUK4D122-20PX

Einschaltverzögerungszeit (Art):5ns

Quellstrom (Tamb = °C) 25 - maximal:-1.9A

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