China Chip der integrierten Schaltung

Oberflächenc$n-kanal-Transistoren des berg-TO-268 des Paket-MSC180SMA120 21A 125W

Teilnummer:MSC180SMA120

Tor-Gebühr:34 nC @ 20 V

RDS an:225mOhm @ 8A, 20V
Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren MSC400SMA330 TO-247-4 durch Loch

Teilnummer:MSC400SMA330

Ununterbrochener Abfluss-Strom:11 A

Tor-Quellschwellen-Spannung:2,97 V
1 des N-Kanal-MSC060SMA070B4 700V Energie MOSFET Silikon-Karbid-der Transistor-TO-247-4

Teilnummer:MSC060SMA070B4

Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:1.9V

Qg - Tor-Gebühr:56 nC
Silikon-Karbid-Flächentransistor TO-247-4 N-Kanal MOSFET IMYH200R012M1H 2000V

Teilnummer:IMYH200R012M1H

Reihe:CoolSiC™

Vgs (maximal):+20V, -7V
Stecker 50kB SE050E2HQ1 und elektronische integrierte Schaltungen des Vertrauens-sichere Element-20XFQFN

Teilnummer:SE050E2HQ1

Anwenderspeicher:KB 50

Größe:3mm x 3mm
Elektronische integrierte Schaltung ADAQ8092BBCZ 105M Data Acquisition System IC

Teilnummer:ADAQ8092BBCZ

Entschließung:14 b

Kanäle:2
Grelle eingebettete Mikroregler IC 18-SOIC IC-Chip-PIC16F1827-I/SO 18-Pin

Teilnummer:PIC16F1827-I/SO

Kern-Prozessor:BILD

Speicherkapazität:8-Bit
Chip Integrated Circuit XC6SLX100T-2FG484I bettete feldprogrammierbare Gatteranordnung ein

Teilnummer:XC6SLX100T-2FG484I

Ethernet:1G

Spezifikation:32 und 64-Bit
PIC18F4431-I/PT 44-Pin erhöhte grelle Mikroregler mit leistungsstarkem PWM

Teilnummer:PIC18F4431-I/PT

EEPROM-Größe:256 x 8

RAM Size:768 x 8
Elektronische getrennte Halbleiter-Transistoren der integrierten Schaltungen IAUTN06S5N008

Teilnummer:IAUTN06S5N008

Art:Chip der integrierten Schaltung

CAV:24V
PG-HDSOP-22 N-Kanal des Paket-IPQC60R040S7A einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPQC60R040S7A

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:14A (Tc)

Transistor-Polarität:N-Kanal
FETs Chip Integrated Circuits IPQC60R010S7A MOSFETs-Transistoren PG-HDSOP-22

Teilnummer:IPQC60R010S7A

Verlustleistung (maximal):694W (Tc)

Minimale Betriebstemperatur:- 40 C

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