China Chip der integrierten Schaltung

Einzelner Chip der integrierten Schaltung der Achsen-A31010SEHALT-4 10kHz Hall Effect Sensor 6-DFN

Teilnummer:A31010SEHALT-4

Betriebstemperatur:-20°C | 85°C (TA)

Gegenwärtig - Versorgung (maximal):3.6mA
16-SOIC ADA4571-2WHRZ integrierte AMR Angle Sensor And Signal-Conditioner IC

Teilnummer:ADA4571-2WHRZ

Widerstand:63 kOhms

Spannung - Versorgung:3V | 5.5V
Positions-Messen integrierter Schaltung AMR Angle Sensors ADA4571BRZ lineares des Chip-8-SOIC

Teilnummer:ADA4571BRZ

VDD:Von 2,7 V bis 5,5 V

Maximaler eckiger Fehler:0,5°
8-SOIC Oberflächenmagnetoresistenter Sensor-Winkel-externer Magnet IC des berg-ADA4570BRZ

Teilnummer:ADA4570BRZ

Betriebsstoff-Strom:4,5mA

Betriebsstoff-Spannung:4,5 V
Ethernet MAC Controller IC 32-VFQFN der integrierten Schaltung des Chip-DP83826IRHBR 55mA

Teilnummer:DP83826IRHBR

Spannung - Versorgung:1.62V | 1.98V, 3V | 3.6V

Gegenwärtig - Versorgung:55mA
Konformes Automobil der geringen Energie des Ethernet-PHY DP83TC814RRHARQ1 IEEE 802.3bw

Teilnummer:DP83TC814RRHARQ1

Reihe:Automobil, AEC-Q100

Art:Transceiver
Integriertes Schaltkreislauf-Chip BCM6715XB0KRFBG-System auf Chip 160MHz BGA-Paket

Teilnummer:BCM6715XB0KRFBG

Paket:BGA

Typ:System-on-Chip (SoC)
Transistor-Automobil des IGBT-Graben-Feld-End1200v AFGHL40T120RLD 529W bricht ab

Teilnummer:AFGHL40T120RLD

PAKET:TO-247-3

Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:48 A
Einzelne IGBTs Transistoren der geringen Energie AFGHL40T65RQDN durch Paket des Loch-TO-247-3

Teilnummer:AFGHL40T65RQDN

PAKET:TO-247-3

Art:Automobil-Chips
Automobil 238W bricht Graben-Feld-Endtransistoren TO-247-3 AFGHL40T65SPD IGBT ab

Teilnummer:AFGHL40T65SPD

Thermischer Widerstand junction−to−case, für Diode:1.71°C/W

Kollektorstrom @ TC = 100°C:40A
Automobil bricht Feld-Halt 650V AFGHL30T65RQDN IGBT durch Loch-Transistoren ab

Teilnummer:AFGHL30T65RQDN

IGBT-Typ:Feld-Halt

Macht- maximales:230,8 W
einzelner IGBT Transistor TO-247-3 28ns AFGHL40T65SQ durch Graben-Feld-Halt des Loch-238W

Teilnummer:AFGHL40T65SQ

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:2.1V @ 15V, 40A

Thermischer Widerstand junction−to−ambient:40°C/W

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16-SOIC ADA4571-2WHRZ integrierte AMR Angle Sensor And Signal-Conditioner IC

Positions-Messen integrierter Schaltung AMR Angle Sensors ADA4571BRZ lineares des Chip-8-SOIC

8-SOIC Oberflächenmagnetoresistenter Sensor-Winkel-externer Magnet IC des berg-ADA4570BRZ

Ethernet MAC Controller IC 32-VFQFN der integrierten Schaltung des Chip-DP83826IRHBR 55mA

Konformes Automobil der geringen Energie des Ethernet-PHY DP83TC814RRHARQ1 IEEE 802.3bw

Integriertes Schaltkreislauf-Chip BCM6715XB0KRFBG-System auf Chip 160MHz BGA-Paket

Transistor-Automobil des IGBT-Graben-Feld-End1200v AFGHL40T120RLD 529W bricht ab

Einzelne IGBTs Transistoren der geringen Energie AFGHL40T65RQDN durch Paket des Loch-TO-247-3

Automobil 238W bricht Graben-Feld-Endtransistoren TO-247-3 AFGHL40T65SPD IGBT ab

Automobil bricht Feld-Halt 650V AFGHL30T65RQDN IGBT durch Loch-Transistoren ab

einzelner IGBT Transistor TO-247-3 28ns AFGHL40T65SQ durch Graben-Feld-Halt des Loch-238W

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