China Chip der integrierten Schaltung

Integrierter Schaltkreislauf Chip IPTG044N15NM5 N-Kanal-Verstärkung Leistungstransistor

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Integrierter Schaltkreislauf Chip AIMW120R045M1 N-Kanal 1200V 52A 228W MOSFET Transistor

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IPT65R060CFD7 N-Kanal-Transistor für einziges MOSFET für Automobil

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Integrierter Schaltkreislauf Chip IGO60R070D1 600 V CoolGaNTM E-Mode Leistungstransistor

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip ISC012N04LM6 Hochleistungs-Einfachverstärker-Transistor

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Einzelner Chip der integrierten Schaltung der FETs-NTHL020N090SC1 der Transistor-900V TO-247-3

Teilnummer:NTHL020N090SC1

Pulsierter Abfluss-Strom (TA = 25°C):472A

Ultra niedrige Tor-Gebühr:QG (Knirps) = 196 nC
N-Kanal 650V 24A IC-Chip-IPP65R099CFD7AAKSA1 einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPP65R099CFD7AAKSA1

Vgs (maximal):± 20V

Verlustleistung (maximal):127W (Tc)
PG-TO263-7-11 Oberflächeneinzelne Transistoren des berg-IPBE65R145CFD7AATMA1 650V

Teilnummer:IPBE65R145CFD7AATMA1

Technologie:MOSFET (Metalloxid)

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:17A (Tc)
Chip der integrierten Schaltung der Energie-N-Kanal-Transistor-NTPF082N65S3F TO-220F-3 650V

Teilnummer:NTPF082N65S3F

Kanal-Modus:Verbesserung

Transistortyp:1 N-Kanal SuperFET III MOSFET
KÜHLER Verdoppelungchip der integrierten Schaltung des N-Kanal-NTMFSC0D9N04CL der Transistor-8-PQFN

Teilnummer:NTMFSC0D9N04CL

Größe:5mm x 6mm

Transistor-Polarität:N-Kanal
BERG-Transistoren der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-IPBE65R230CFD7AATMA1

Teilnummer:IPBE65R230CFD7AATMA1

FET-Typ:N-Kanal

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1044 PF @ 400 V
Chip der integrierten Schaltung der N-Kanal-Transistor-FCH060N80-F155 800V TO-247-3

Teilnummer:FCH060N80-F155

Art. RDS (an):54 m

Ultra niedrige Tor-Gebühr:Art. Qg = 270 nC

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