China Chip der integrierten Schaltung

Hochleistungs-Automobil bricht einzelne IGBT Transistoren AFGH75T65SQ 650V ab

Teilnummer:AFGH75T65SQ

Testbedingung:400V, 40A, 6Ohm, 15V

Befestigung der Art:Oberflächenberg
Automobil bricht Graben-Feld-Endtransistoren 268W TO-247-3 AFGHL50T65RQDN IGBT ab

Teilnummer:AFGHL50T65RQDN

Vorübergehende Gate−to−Emitter-Spannung:±30V

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):650 V
Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Teilnummer:AFGB40T65SQDN

Art:Transistoren

Produkt-Status:Aktiv
Automobil bricht AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A kurzschließen bewertete Transistoren FS4 ab

Teilnummer:AFGB40T65RQDN

Pulsierter Kollektorstrom:160A

Kollektorstrom:40A
Stehen Sie allein Transistoren IGBT AFGHL50T65SQ, TO-247-3, das Automobil Feld-Halt des Graben-268W abbricht

Teilnummer:AFGHL50T65SQ

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop

Pulsierter Kollektorstrom:200A
Automobil bricht einzelne IGBT Transistor-Oberflächenberg TO-263-3 AFGB30T65SQDN ab

Teilnummer:AFGB30T65SQDN

Tor-Emitter-Spannung:- 20 Volt, + 20 Volt

Tor-Gebühr:56 nC
Automobil 268W AFGHL50T65SQD bricht Graben-Feld-Halt 650V einzelnen IGBT Transistor-80A ab

Teilnummer:AFGHL50T65SQD

Pulsierter Kollektorstrom:200A

Verlustleistung @ TC = 25°C (maximal):268W
Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Teilnummer:AFGHL50T65SQDC

Collector−to−Emitter-Spannung:650V

Gate−To−Emitter-Spannung:±20V
Automobil bricht AFGB30T65RQDN IGBT für Automobilpaket der anwendungs-TO−263 ab

Teilnummer:AFGB30T65RQDN

Maximale Grenzschichttemperatur:175°C

PAKET:TO−263
Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Teilnummer:AFGHL75T65SQD

Gegenwärtiges - Kollektor (IC) - maximales:80 A

Betriebstemperatur (Minute):-55°C (TJ)
Einzelnes Automobil IGBTs-Transistor-AFGY100T65SPD bricht Feld-Halt des Graben-TO-247-3 ab

Teilnummer:AFGY100T65SPD

Testbedingung:400V, 100A, 5Ohm, 15V

TD (AN/AUS) @ 25°C:36ns/78ns
Automobil 120A bricht Graben-Feld-Halt AFGY120T65SPD einzelnen IGBTs Transistor-650V IGBT ab

Teilnummer:AFGY120T65SPD

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):160 A

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:2.05V @ 15V, 120A

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Automobil bricht Graben-Feld-Endtransistoren 268W TO-247-3 AFGHL50T65RQDN IGBT ab

Universelles Oberflächentransistor-Automobil des berg-AFGB40T65SQDN IGBT bricht ab

Automobil bricht AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A kurzschließen bewertete Transistoren FS4 ab

Stehen Sie allein Transistoren IGBT AFGHL50T65SQ, TO-247-3, das Automobil Feld-Halt des Graben-268W abbricht

Automobil bricht einzelne IGBT Transistor-Oberflächenberg TO-263-3 AFGB30T65SQDN ab

Automobil 268W AFGHL50T65SQD bricht Graben-Feld-Halt 650V einzelnen IGBT Transistor-80A ab

Automobil 650V bricht Transistoren TO-247-3 des AFGHL50T65SQDC-Feld-Endgraben-IGBT ab

Automobil bricht AFGB30T65RQDN IGBT für Automobilpaket der anwendungs-TO−263 ab

Automobil 375W bricht AFGHL75T65SQD IGBT einzelnen IGBT Transistor des Graben-Feld-End650v ab

Einzelnes Automobil IGBTs-Transistor-AFGY100T65SPD bricht Feld-Halt des Graben-TO-247-3 ab

Automobil 120A bricht Graben-Feld-Halt AFGY120T65SPD einzelnen IGBTs Transistor-650V IGBT ab

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