China Chip der integrierten Schaltung

N-Kanal-Transistoren TO-220-3 der integrierten Schaltung des Chip-NTP055N65S3H durch Loch

Teilnummer:NTP055N65S3H

Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:30 ns

Reihe:SuperFET® III
Einzelne N-Kanal-Transistoren NTMFS0D9N03CGT1G-Silikon-Karbid-Energie MOSFET

Teilnummer:NTMFS0D9N03CGT1G

Pulsierter Abflussstrom:900 A

Junction−to−Case – ausgeglichene Lage:1,0 °C/W
Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-FDBL9403-F085T6 einzelne N-Kanal-Transistoren

Teilnummer:FDBL9403-F085T6

Quellstrom:330 A

Eingegebene Kapazitanz:6985 PF
Silikon-Karbid-einzelne N-Kanal-Transistoren IC-Chip-NTMFS5C628NT1G 5-DFN

Teilnummer:NTMFS5C628NT1G

Turn−off-Verzögerungs-Zeit:25 ns

Vorwärtsdioden-Spannung:1.2V
Einzelner Chip der integrierten Schaltung der N-Kanal-Transistor-NVH4L040N65S3F TO-247-4

Teilnummer:NVH4L040N65S3F

Technologie:MOSFET (Metalloxid)

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
NVMFS5C670NWFT1G 60V 71A MOSFET-Energie-einzelne N-Kanal-Transistoren 5-DFN

Teilnummer:NVMFS5C670NWFT1G

Antriebsspannung:10V

RDS an:7mOhm
‐ Chip Powers N der integrierten Schaltung der Transistor-TO-220-3 NTP125N65S3H Kanal-Transistoren

Teilnummer:NTP125N65S3H

Technologie:MOSFET (Metalloxid)

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Einzelne Energie MOSFET 5-DFN IC der N-Kanal-Transistor-NTMFS005N10MCLT1G Chips

Teilnummer:NTMFS005N10MCLT1G

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:3V @ 192µA

Verlustleistung (maximal):3W (Ta), 125W (Tc)
NTH4L015N065SC1 N-Kanal 650V 142A MOSFET-Silikon-Karbid-Transistoren

Teilnummer:NTH4L015N065SC1

Gebührenzeit:17 ns

Abbauzeit:11 ns
N-Kanal-Transistoren integrierter Schaltung Energie MOSFET NTH4L027N65S3F des Chip-TO-247-4

Teilnummer:NTH4L027N65S3F

Befestigung von Art:Durch Loch

Transistor-Polarität:N-Kanal
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-NVMFS5C612NWFT1G einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:NVMFS5C612NWFT1G

Ununterbrochener Abfluss-Strom:225 A

Gate−to−Source-Spannung:±20 V
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-IXYX110N120B4 1200V 340A 1360W IGBT

Teilnummer:IXYX110N120B4

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:340 A

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