China Chip der integrierten Schaltung

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC017SMA120B

Teilnummer:MSC017SMA120B

Befestigung der Art:Durch Loch

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:5280 PF @ 1000 V
Des MSC040SMA120J-N-Kanal-1200 V 53A 208W Transistoren Fahrgestelle-Berg-SOT-227

Teilnummer:MSC040SMA120J

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:PF 1990 @ 1000 V
Energie MOSFET MSC750SMA170S des N-Kanal-1700V Chip TO-268-3 integrierter Schaltung

Teilnummer:MSC750SMA170S

Zahl von Kanälen:1 Kanal

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:750 mOhm
Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC080SMA120B durch Loch

Teilnummer:MSC080SMA120B

Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:1,2 KV

Konfiguration:Einzeln
1700V der Transistor-MSC750SMA170B4 Silikon-Karbid N-Kanal-der Transistor-TO-247-4

Teilnummer:MSC750SMA170B4

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
IC brechen Oberflächenberg-Transistoren MSC080SMA120S-N-Kanal-1200 V 35A 182W ab

Teilnummer:MSC080SMA120S

RDS an:100 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C
TO-247-3 MSC090SMA070B N-Kanal-Transistoren integrierter Schaltung des Chip-700V SiCFET

Teilnummer:MSC090SMA070B

Transistor-Polarität:N-Kanal

Qg - Tor-Gebühr:38 nC
N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltung der Transistor-MSC035SMA070S des Chip-TO-268-3

Teilnummer:MSC035SMA070S

Produkt-Kategorie:MOSFET

Qg - Tor-Gebühr:5 A
Der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070B4 Silikon-Karbid N-Kanal MOSFETs-TO-247-4

Teilnummer:MSC035SMA070B4

Eingegebene Kapazitanz:2010pF (Art)

Ausgangskapazität:247pF (Art)
N-Kanal der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-MSC035SMA070B des Chip-TO-247-3

Teilnummer:MSC035SMA070B

Betriebstemperatur (maximal):175°C (TJ)

Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom:77 A
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET-Fahrgestelle-Berg SOT-227 1200V MSC080SMA120J

Teilnummer:MSC080SMA120J

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC015SMA070S 700V

Teilnummer:MSC015SMA070S

Transistor-Polarität:N-Kanal

Zahl von Kanälen:1 Kanal

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Des MSC040SMA120J-N-Kanal-1200 V 53A 208W Transistoren Fahrgestelle-Berg-SOT-227

Energie MOSFET MSC750SMA170S des N-Kanal-1700V Chip TO-268-3 integrierter Schaltung

Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-MSC080SMA120B durch Loch

1700V der Transistor-MSC750SMA170B4 Silikon-Karbid N-Kanal-der Transistor-TO-247-4

IC brechen Oberflächenberg-Transistoren MSC080SMA120S-N-Kanal-1200 V 35A 182W ab

TO-247-3 MSC090SMA070B N-Kanal-Transistoren integrierter Schaltung des Chip-700V SiCFET

N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltung der Transistor-MSC035SMA070S des Chip-TO-268-3

Der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070B4 Silikon-Karbid N-Kanal MOSFETs-TO-247-4

N-Kanal der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-MSC035SMA070B des Chip-TO-247-3

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET-Fahrgestelle-Berg SOT-227 1200V MSC080SMA120J

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC015SMA070S 700V

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