China Chip der integrierten Schaltung

Elektronische Transistoren der integrierten Schaltungen SCT3160KLGC11 des N-Kanal-1200V 17A

Teilnummer:SCT3160KLGC11

Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:2,7 V

Kanal-Modus:Verbesserung
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-SCT3105KLGC11 des N-Kanal-1200 V 24A

Teilnummer:SCT3105KLGC11

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:137 mOhm bei 7,6 A, 18 V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:574 pF bei 800 V
Elektronische Silikon-Karbid-Transistoren der integrierten Schaltungen SCT4036KRHRC15

Teilnummer:SCT4036KRHRC15

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V

Betriebstemperatur:175°C (TJ)
N-Kanal SCT4013DW7TL einzelner Oberflächenberg der MOSFETs-Transistor-TO-263-8

Teilnummer:SCT4013DW7TL

Produktstatus:Aktiv

Vgs (maximal):+21V, -4V
N-Kanal MOSFETs-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-SCT4045DRC15

Teilnummer:SCT4045DRC15

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:45 mOhms

PD - Verlustleistung:115 W
Transistoren SCT4036KW7TL Generation MOSFET 4. sic MOSFET 1200V 36mohm 40A

Teilnummer:SCT4036KW7TL

Produkt-Kategorie:MOSFET

Transistor-Polarität:N-Kanal
N-Kanal 750V 105A SCT4013DEC11 treiben sic MOSFET durch Loch TO-247N an

Teilnummer:SCT4013DEC11

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):750 V
BERG-Transistoren der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-SCT3030AW7TL TO-263-7

Teilnummer:SCT3030AW7TL

Fet-Art:N-Kanal

Produktstatus:Aktiv
Treiben Automobilgrad-N-Kanal der Transistor-SCT2160KEHRC11 sic MOSFET TO-247-3 an

Teilnummer:SCT2160KEHRC11

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:62 nC @ 18 V

Vgs (maximal):+22V, -6V
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT3160KW7TL 17A einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:SCT3160KW7TL

Befestigung der Art:Oberflächenberg

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:42 nC @ 18 V
N-Kanal einzelner Chip der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-SCT3060AW7TL

Teilnummer:SCT3060AW7TL

Lassen Sie - Quellspannung ab:650 V

Ununterbrochener Abfluss-Strom:38 A
N-Kanal treiben sic Transistoren integrierter Schaltung MOSFET SCT4062KW7TL des Chip-TO-263-8 an

Teilnummer:SCT4062KW7TL

Produkt-Kategorie:MOSFET

Fet-Art:N-Kanal

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Elektronische Silikon-Karbid-Transistoren der integrierten Schaltungen SCT4036KRHRC15

N-Kanal SCT4013DW7TL einzelner Oberflächenberg der MOSFETs-Transistor-TO-263-8

N-Kanal MOSFETs-Transistoren TO-247-4 der integrierten Schaltung des Chip-SCT4045DRC15

Transistoren SCT4036KW7TL Generation MOSFET 4. sic MOSFET 1200V 36mohm 40A

N-Kanal 750V 105A SCT4013DEC11 treiben sic MOSFET durch Loch TO-247N an

BERG-Transistoren der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-SCT3030AW7TL TO-263-7

Treiben Automobilgrad-N-Kanal der Transistor-SCT2160KEHRC11 sic MOSFET TO-247-3 an

N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT3160KW7TL 17A einzelne MOSFETs-Transistoren

N-Kanal einzelner Chip der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-SCT3060AW7TL

N-Kanal treiben sic Transistoren integrierter Schaltung MOSFET SCT4062KW7TL des Chip-TO-263-8 an

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