China Chip der integrierten Schaltung

TO-247-3 durch Loch IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT graben Feld-Endtransistoren

Teilnummer:IKQ120N120CS7XKSA1

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop

Produkt-Status:Aktiv
Hochgeschwindigkeits-Graben-Feld-Halt 1200V 166A Transistor-IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT

Teilnummer:IKQ100N120CH7XKSA1

Reihe:TrenchStop™

Zugeschaltete Energie:6.7mJ (an), 2.52mJ (weg)
IC brechen Transistoren 1200V 36A 176W IKW15N120CS7XKSA1 IGBT durch Loch PG-TO247-3 ab

Teilnummer:IKW15N120CS7XKSA1

Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:1,2 kV

Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:1,65 V
Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N65ET7XKSA1

Teilnummer:IKW50N65ET7XKSA1

Macht- maximales:273 W

Rückgenesungszeit:93 ns
Elektronische Graben-Feld-Endtransistoren der integrierten Schaltungen IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Teilnummer:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Lagertemperatur:-55 - °C 150
Graben-Feld-Halt TO-247-3 1200V IGBT Transistor-IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT

Teilnummer:IKW40N120CS7XKSA1

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:82 A
Chip integrierten Schaltung der IGBT-Transistor-650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1

Teilnummer:IKW20N65ET7XKSA1

TD (AN/AUS) @ 25°C:16ns/210ns

Testbedingung:400V, 20A, 12Ohm, 15V
Einzelner Graben-Feld-Halt 1200V IGBTs-Transistor-IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT

Teilnummer:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls maximal:165A

Ptot (@ TA=25°C) maximal:330 W
Graben-Feld-Halt 1200 V 75 IKY50N120CH7XKSA1 IGBT ein IGBTs-Transistoren

Teilnummer:IKY50N120CH7XKSA1

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch:1200 V

Eingegebene Art:Standard
Chip der integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-Endtransistor-IKQ75N120CS7XKSA1

Teilnummer:IKQ75N120CS7XKSA1

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Paket:TO-247-3
Paket-Oberflächenberg des N-Kanal-1700V IMBF170R450M1 der Transistor-TO-263-8

Teilnummer:IMBF170R450M1

Produkt-Status:Aktiv

Fet-Art:N-Kanal
TO-263-8 IMBG65R048M1H Silikon-Karbid MOSFETs-Transistoren 650V graben sic Energie

Teilnummer:IMBG65R048M1H

Höchstabflussstrom (maximal):99A

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:33 nC @ 18 V

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IC brechen Transistoren 1200V 36A 176W IKW15N120CS7XKSA1 IGBT durch Loch PG-TO247-3 ab

Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N65ET7XKSA1

Elektronische Graben-Feld-Endtransistoren der integrierten Schaltungen IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Graben-Feld-Halt TO-247-3 1200V IGBT Transistor-IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT

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Einzelner Graben-Feld-Halt 1200V IGBTs-Transistor-IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT

Graben-Feld-Halt 1200 V 75 IKY50N120CH7XKSA1 IGBT ein IGBTs-Transistoren

Chip der integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-Endtransistor-IKQ75N120CS7XKSA1

Paket-Oberflächenberg des N-Kanal-1700V IMBF170R450M1 der Transistor-TO-263-8

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