China Chip der integrierten Schaltung

Diodengleichrichter TO-263-3 1200V 40A Oberflächeneinzelne berg-IDK16G120C5XTMA1

Teilnummer:IDK16G120C5XTMA1

Ich (FSM) maximal:140 A

WENN maximal:16 A
Durch Karbid-Schottkys des Loch-IDWD15G120C5XKSA1 Silicion einzelne Diodengleichrichter

Teilnummer:IDWD15G120C5XKSA1

Vr - Sperrspannung:1,2 kV

RthJC:0,8 K/W
Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 Silikon-Karbid-Schottkys AIDK12S65C5ATMA1 650V

Teilnummer:AIDK12S65C5ATMA1

Ir - Rückstrom:70 uA

Lieferanten-Gerät-Paket:PG-TO263-2
Bricht einzelnes Automobil der Gleichrichter-FFSB0865B-F085 der Dioden-TO-263-2 Diode 650V Schottky ab

Teilnummer:FFSB0865B-F085

Rückgenesungszeit (trr):0 ns

Verlustleistung (TC = 150°C):12W
Automobil bricht FFSB0665B-F085 TO-263-2 Diode der Gleichrichter-einzelne Dioden-650V 8A Schottky ab

Teilnummer:FFSB0665B-F085

Lawine veranschlagt:24,5 mJ

Max Junction Temperature:175°C
Automobil der Dioden-FFSB10120A-F085 bricht Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 1200V 21A ab

Teilnummer:FFSB10120A-F085

Ununterbrochener korrigierter Vorwärtsstrom @ TC < 164°C:10A

Einzelimpuls-Lawinen-Energie:100mJ
Des Silikon-FFSH20120A-F085 Automobil-Chips Karbid-Diodengleichrichter-einzelne der Dioden-TO-247-2

Teilnummer:FFSH20120A-F085

Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io):30A

Rückgenesungszeit (trr):0 ns
Gleichrichter-bricht einzelnes Dioden-Automobil FFSH2065B-F085 TO-247-2 650V Schottky Diode ab

Teilnummer:FFSH2065B-F085

Max Junction Temperature:175°C

Einzelimpuls-Lawinen-Energie:94 mJ
Automobil FFSH4065BDN-F085 bricht einzelne Dioden TO-247-3 der Gleichrichter-650V durch Loch ab

Teilnummer:FFSH4065BDN-F085

Rückgenesungszeit (trr):0 ns

Geschwindigkeit:Keine Genesungszeit > 500mA (Io)
Integrierter Schaltkreislauf-Chip DCG45X1200NA Modul 1200V 22A Richterdioden

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Integrierter Schaltkreislauf-Chip FFSH4065ADN-F155 650V 22A SiC Schottky-Richtungsdioden

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Integrierter Schaltkreis-Chip STPSC10H12GY Automobil 1200V 10A Richterdioden

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket

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Durch Karbid-Schottkys des Loch-IDWD15G120C5XKSA1 Silicion einzelne Diodengleichrichter

Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 Silikon-Karbid-Schottkys AIDK12S65C5ATMA1 650V

Bricht einzelnes Automobil der Gleichrichter-FFSB0865B-F085 der Dioden-TO-263-2 Diode 650V Schottky ab

Automobil bricht FFSB0665B-F085 TO-263-2 Diode der Gleichrichter-einzelne Dioden-650V 8A Schottky ab

Automobil der Dioden-FFSB10120A-F085 bricht Gleichrichter-einzelne Dioden TO-263-3 1200V 21A ab

Des Silikon-FFSH20120A-F085 Automobil-Chips Karbid-Diodengleichrichter-einzelne der Dioden-TO-247-2

Gleichrichter-bricht einzelnes Dioden-Automobil FFSH2065B-F085 TO-247-2 650V Schottky Diode ab

Automobil FFSH4065BDN-F085 bricht einzelne Dioden TO-247-3 der Gleichrichter-650V durch Loch ab

Integrierter Schaltkreislauf-Chip DCG45X1200NA Modul 1200V 22A Richterdioden

Integrierter Schaltkreislauf-Chip FFSH4065ADN-F155 650V 22A SiC Schottky-Richtungsdioden

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