China Chip der integrierten Schaltung

Des Silikon-FFSH20120A-F085 Automobil-Chips Karbid-Diodengleichrichter-einzelne der Dioden-TO-247-2

Teilnummer:FFSH20120A-F085

Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io):30A

Rückgenesungszeit (trr):0 ns
Gleichrichter-bricht einzelnes Dioden-Automobil FFSH2065B-F085 TO-247-2 650V Schottky Diode ab

Teilnummer:FFSH2065B-F085

Max Junction Temperature:175°C

Einzelimpuls-Lawinen-Energie:94 mJ
Automobil FFSH4065BDN-F085 bricht einzelne Dioden TO-247-3 der Gleichrichter-650V durch Loch ab

Teilnummer:FFSH4065BDN-F085

Rückgenesungszeit (trr):0 ns

Geschwindigkeit:Keine Genesungszeit > 500mA (Io)
Integrierter Schaltkreislauf-Chip DCG45X1200NA Modul 1200V 22A Richterdioden

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip FFSH4065ADN-F155 650V 22A SiC Schottky-Richtungsdioden

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Integrierter Schaltkreis-Chip STPSC10H12GY Automobil 1200V 10A Richterdioden

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MSC025SMA120B4N Integrierter Schaltkreislauf Chip 1200V 25mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

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MSC060SMA070SCT Integrierter Schaltkreislauf Chip 700V 60mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

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MSC060SMA070SDT Integrierter Schaltkreislauf Chip 700V 51A N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

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MSC080SMA120SCT Integrierter Schaltkreislauf 1200V 80mΩ N-Kanal SiC MOSFET-Transistoren

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MSC080SMA330B4N Integrierter Schaltkreislauf 3300V 80mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

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MSC180SMA120SDT Integrierter Schaltkreislauf 1200V 180mΩ N-Kanal SiC MOSFET-Transistoren

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MSC025SMA120B4N Integrierter Schaltkreislauf Chip 1200V 25mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

MSC060SMA070SCT Integrierter Schaltkreislauf Chip 700V 60mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

MSC060SMA070SDT Integrierter Schaltkreislauf Chip 700V 51A N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

MSC080SMA120SCT Integrierter Schaltkreislauf 1200V 80mΩ N-Kanal SiC MOSFET-Transistoren

MSC080SMA330B4N Integrierter Schaltkreislauf 3300V 80mΩ N-Kanal SiC MOSFET Transistoren

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