China Chip der integrierten Schaltung

IPP65R090CFD7 650V N-Kanal-Leistung MOSFET Transistor TO220

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Integrierter Schaltkreis-Chip SH63N65DM6AG Mosfet-Array 650V 53A Leistungs-MOSFET-Transistoren

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Verpackung Informationen:Standardpaket
Energie MOSFET-Transistoren 600V 8PowerVDFN der integrierten Schaltung des Chip-STL24N60M6

Teilnummer:STL24N60M6

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:23 nC @ 10 V

RDS (an) maximal:mΩ 209
Energie MOSFET-Transistoren 750V H2PAK-7 SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT011H75G3AG

Teilnummer:SCT011H75G3AG

Abfluss-Quellspannung:750 V

Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = °C 25 ab:110A
Chip HU2PAK-7 integrierten Schaltung der Energie 55A MOSFET-Transistor-SCT018H65G3AG SIC

Teilnummer:SCT018H65G3AG

Paket:HU2PAK-7

Tor-Quellspannung:-10V zu 22V
Energie MOSFET-Transistoren TO-247 n-Kanal-IXTH24N50L lineare einzelne FETs-Transistoren

Teilnummer:IXTH24N50L

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:160 nC @ 20 V

Verlustleistung (maximal):400W (Tc)
Silikon-Karbid-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC040SMA120B

Teilnummer:MSC040SMA120B

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

PD:311 W
Energie MOSFET-Transistoren TO-263-8 der integrierten Schaltung des Chip-IMBG65R163M1HXTMA1

Teilnummer:IMBG65R163M1HXTMA1

Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):18V

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V
Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

Teilnummer:IPT020N10N5ATMA1

Verlustleistung (maximal):273W (Tc)

Fet-Art:N-Kanal
Chip integrierten Schaltung der Energie MOSFET-Transistor-BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN

Teilnummer:BSZ050N03LSGATMA1

PD - Verlustleistung:50 W

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:35 nC @ 10 V
N-Kanal SCT3040KW7TL treiben sic Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8 an

Teilnummer:SCT3040KW7TL

PD - Verlustleistung:267 W

Kanal-Modus:Verbesserung
N-Kanal des Chips SCT4018KEC11 TO-247-3 der integrierten Schaltung treiben sic MOSFET-Transistoren an

Teilnummer:SCT4018KEC11

Technologie:SIC

Befestigung von Art:Durch Loch

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Energie MOSFET-Transistoren TO-263-8 der integrierten Schaltung des Chip-IMBG65R163M1HXTMA1

Energie MOSFET-Transistor 8-PowerSFN der integrierten Schaltung des Chip-IPT020N10N5ATMA1 100V

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N-Kanal SCT3040KW7TL treiben sic Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8 an

N-Kanal des Chips SCT4018KEC11 TO-247-3 der integrierten Schaltung treiben sic MOSFET-Transistoren an

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