China Chip der integrierten Schaltung

Graben-Starkstromgerät Silikon-Karbid MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC

Teilnummer:IMZA65R072M1H

Zahl von Kanälen:1 Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:650 V
Siliziumkarbid-MOSFET-Transistoren TO-263-7-Paket AIMBG120R030M1

Artikelnummer:AIMBG120R030M1

Paket:TO-263-7

Betriebstemperatur:-55°C - 175°C
10M25DAF484I7G Feldprogrammierbarer Gate-Array-IC FBGA484 Einzelchip

Artikelnummer:10M25DAF484I7G

Anzahl der Logikelemente:25000 LE

Anzahl der I/Os:360 E/A
AIMBG120R160M1 Chip mit integrierter Schaltung 1200 V SiC Mosfet Discretes für die Automobilindustrie

Artikelnummer:AIMBG120R160M1

Produktart:MOSFET

Paket:TO-263-7
Integrierter 450-MHz-Schaltungschip 10M16DAF484I7G Feldprogrammierbarer Gate-Array-IC BGA484

Artikelnummer:10M16DAF484I7G

Anzahl der LABs/CLBs:1000

Anzahl der I/Os:320 E/A
20MHz OX5021-EAE-1080-20M000 Ofengesteuerter Quarzoszillator SMD6 ohne Blei

Artikelnummer:OX5021-EAE-1080-20M000

Basisresonator:Kristall

Frequenz:20 MHz
PMDXB600UNE 20-V-Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET-Transistoren 6 XFDFN-Gehäuse

Artikelnummer:PMDXB600UNE

Energieverschwendung:380 mW

Abfallzeit:51 ns
Smart Speaker Amplifier IC WSA8810 Bis zu 2 W Klasse-D-Leistungs-BGA-Gehäuse

Artikelnummer:WSA8810

Klasse-D-Leistung:Bis zu 2W

Paket:BGA
XC5VLX30T-2FF323I Integrierter Schaltungschip XC5VLX30 Feldprogrammierbarer Gate-Array-IC

Artikelnummer:XC5VLX30T-2FF323I

Anzahl der E/A:172

Gesamte RAM-Bits:1327104
Integrierter Schaltungschip QM42391 WLAN 2,4 GHz Dual FEM, Front-End-Module

Artikelnummer:QM42391

Frequenz:2,4 GHz

Modi:BT High Power und BT Low Power
Integrierter Schaltungschip QM45391 Externes WiFi6 FEM-Modul QFN-Gehäuse

Artikelnummer:QM45391

Paket:QFN

Kanal:Doppelkanal
Bit 1.3GHz ARM Mikroprozessor IC BGA MIMX8MQ7CVAHZAA-integrierter Schaltung des Chip-64

Teilnummer:MIMX8MQ7CVAHZAA

Betriebsspannung:1 V

Ethernet:GbE

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PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

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