China Chip der integrierten Schaltung

Integrierter Schaltkreislauf Chip IPB180N08S402 D2PAK 7Pin Automobilstrom MOSFET Transistor

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IRFS3006TRL7PP 60V Einzel-N-Kanal-MOSFET-Transistor

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Integrierte Schaltkreis-Chip BSC070N10LS5 100V MOSFET-Transistor auf Logikebene

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IPB110P06LM D2PAK 60V P-Kanalstrom-MOSFET-Transistor

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IPT030N12N3G Leistungs-MOSFET-Transistor mit integrierter Schaltung 120 V im TOLL-Paket

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IPP65R090CFD7 650V N-Kanal-Leistung MOSFET Transistor TO220

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Integrierter Schaltkreis-Chip SH63N65DM6AG Mosfet-Array 650V 53A Leistungs-MOSFET-Transistoren

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Energie MOSFET-Transistoren 600V 8PowerVDFN der integrierten Schaltung des Chip-STL24N60M6

Teilnummer:STL24N60M6

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:23 nC @ 10 V

RDS (an) maximal:mΩ 209
Energie MOSFET-Transistoren 750V H2PAK-7 SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT011H75G3AG

Teilnummer:SCT011H75G3AG

Abfluss-Quellspannung:750 V

Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = °C 25 ab:110A
Chip HU2PAK-7 integrierten Schaltung der Energie 55A MOSFET-Transistor-SCT018H65G3AG SIC

Teilnummer:SCT018H65G3AG

Paket:HU2PAK-7

Tor-Quellspannung:-10V zu 22V
Energie MOSFET-Transistoren TO-247 n-Kanal-IXTH24N50L lineare einzelne FETs-Transistoren

Teilnummer:IXTH24N50L

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:160 nC @ 20 V

Verlustleistung (maximal):400W (Tc)
Silikon-Karbid-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC040SMA120B

Teilnummer:MSC040SMA120B

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

PD:311 W

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Energie MOSFET-Transistoren 750V H2PAK-7 SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT011H75G3AG

Chip HU2PAK-7 integrierten Schaltung der Energie 55A MOSFET-Transistor-SCT018H65G3AG SIC

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PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver