China Chip der integrierten Schaltung

Energie MOSFET-Transistoren 262W des N-Kanal SCT2080KEGC11 Silikon-Karbid-TO-247-3

Teilnummer:SCT2080KEGC11

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:80 mOhms

Vgs - Tor-Quellspannung:- 6 V, + 22 V
N-Kanal der integrierten Schaltung SCT3080KRC14 des Chip-TO-247-4 treiben sic MOSFET-Transistoren an

Teilnummer:SCT3080KRC14

Zahl von Kanälen:1 Kanal

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:104mOhm @ 10A, 18V
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT4045DEC11 treiben sic MOSFET-Transistoren TO-247-3 an

Teilnummer:SCT4045DEC11

Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:5,8 ns

Anstiegszeit:28 ns
N-Kanal treiben sic Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-SCT4045DW7TL TO-263-7L an

Teilnummer:SCT4045DW7TL

Drain – Durchbruchspannung der Quelle:750V

Tor - Quelldurchsickernstrom (maximal):100nA
Treiben Automobilc$n-kanal des grad-SCT4026DEHRC11 sic MOSFET-Transistoren TO-247-3 an

Teilnummer:SCT4026DEHRC11

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:4,8 V bei 15,4 mA

Befestigung der Art:Durch Loch
N-Kanal treiben sic Automobilgrad TO-247-3 MOSFET-Transistor-SCT4062KEHRC11 an

Teilnummer:SCT4062KEHRC11

Kanal-Modus:Verbesserung

Transistor-Art:1 N-Kanal
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT4013DRC15 treiben sic MOSFET-Transistoren an

Teilnummer:SCT4013DRC15

Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):18V

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:16.9mOhm @ 58A, 18V
N-Kanal SCT2450KEGC11 treiben sic Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-247-3 an

Teilnummer:SCT2450KEGC11

Vorwärtstransconductance - Minute:1 s

Fet-Art:N-Kanal
N-Kanal treiben sic Automobilgrad TO-247-3 MOSFET-Transistor-SCT2080KEHRC11 an

Teilnummer:SCT2080KEHRC11

Abfluss-Quellspannung:1200V

Abfluss-Quelledurchlasswiderstand (Art.):80mΩ
1200V N-Kanal SCT3080KLGC11 Silikon-Karbid-Energie MOSFET-Transistoren TO-247-3

Teilnummer:SCT3080KLGC11

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:31 A

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:80 mOhms
N-Kanal der Transistoren SCT3022KLHRC11 treiben sic MOSFET-Transistoren TO-247-3 1200V an

Teilnummer:SCT3022KLHRC11

Sperrschichttemperatur (max.):175°C

Lagertemperatur (Min.):-55°C
Integrierte Schaltkreis-Chip STL33N60DM2 N-Kanal Leistung MOSFET Transistoren 8PowerVDFN

Teilnummer:Stl33N60DM2

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):600 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 10,5A, 10V

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Treiben Automobilc$n-kanal des grad-SCT4026DEHRC11 sic MOSFET-Transistoren TO-247-3 an

N-Kanal treiben sic Automobilgrad TO-247-3 MOSFET-Transistor-SCT4062KEHRC11 an

N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT4013DRC15 treiben sic MOSFET-Transistoren an

N-Kanal SCT2450KEGC11 treiben sic Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-247-3 an

N-Kanal treiben sic Automobilgrad TO-247-3 MOSFET-Transistor-SCT2080KEHRC11 an

1200V N-Kanal SCT3080KLGC11 Silikon-Karbid-Energie MOSFET-Transistoren TO-247-3

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