China Chip der integrierten Schaltung

1200V graben sic MOSFET-Transistoren TO-263-8 N-Kanal MOSFET IMBG120R045M1H

Teilnummer:IMBG120R045M1H

Kurzschluss-Widerstands-Zeit:3 µs

Drehungs-wegtorspannung:0V
Chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V der integrierten Schaltung graben sic MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IMBG120R060M1H

Pulsierter Abfluss-Strom:94A

Verlustleistung, TC = 25°C:181W
Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IMBG120R220M1H

Abfallzeit:11 ns

Vorwärtstransconductance - Minute:1,9 S
N-Kanal-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC025SMA120J

Teilnummer:MSC025SMA120J

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C
N-Kanal 1200V 19A 94W Silikon-Karbid MOSFET-Transistor-IMW120R140M1H durch Loch

Teilnummer:IMW120R140M1H

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)

Polarität:N
IC brechen Silikon-Karbid-N-Kanal MOSFET-Transistoren MSC025SMA120S 1200 V ab

Teilnummer:MSC025SMA120S

Fet-Art:N-Kanal

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:89A (Tc)
Chip MSC180SMA120B 1200V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-247-4

Teilnummer:MSC180SMA120B

Transistor-Polarität:N-Kanal

Befestigung von Art:Durch Loch
Chip MSC090SMA070S 700V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-268-3

Teilnummer:MSC090SMA070S

Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom:25 A

thermischer Widerstand des Kreuzung-zu-Falles (Art):1.10W/°C
N-Kanal des Silikon-Karbid-MSC015SMA070B4 sic Chips MOSFET-Transistor-TO-247-4 IC

Teilnummer:MSC015SMA070B4

Pulsierter Abflussstrom:350A

Linearer herabsetzender Faktor:3.03W/°C
GRAD MOSFET-Transistoren 650V der Transistor-IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 Automobil

Teilnummer:IPBE65R075CFD7AATMA1

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:139 mOhms

Vgs - Tor-Quellspannung:- 20 V, + 20 V
N-Kanal MOSFET-Transistoren 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung des Chip-BSZ036NE2LSATMA1

Teilnummer:BSZ036NE2LSATMA1

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 150 C

PD - Verlustleistung:37 W
N-Kanal IMBG65R030M1HXTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8

Teilnummer:IMBG65R030M1HXTMA1

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Verlustleistung (maximal):234W (Tc)

Page 1188 of 1740|< << 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 >> >|

Chip der integrierten Schaltung

CYPD6227-96BZXI Integrierter Schaltkreis Chip Dual Port USB Typ-C Steuerung IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 Integrierte Schaltkreis-Chip-Lasttreiber IC-Stromversorgungsschalter

MCZ33905DD5EKR2 Integrierter Schaltkreislauf-Chipsystem Basischip mit Hochgeschwindigkeits-CAN und LIN

China Chip der integrierten Schaltung

1200V graben sic MOSFET-Transistoren TO-263-8 N-Kanal MOSFET IMBG120R045M1H

Chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V der integrierten Schaltung graben sic MOSFET-Transistoren

Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

N-Kanal-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC025SMA120J

N-Kanal 1200V 19A 94W Silikon-Karbid MOSFET-Transistor-IMW120R140M1H durch Loch

IC brechen Silikon-Karbid-N-Kanal MOSFET-Transistoren MSC025SMA120S 1200 V ab

Chip MSC180SMA120B 1200V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-247-4

Chip MSC090SMA070S 700V der integrierten Schaltung sic MOSFET-Transistoren TO-268-3

N-Kanal des Silikon-Karbid-MSC015SMA070B4 sic Chips MOSFET-Transistor-TO-247-4 IC

GRAD MOSFET-Transistoren 650V der Transistor-IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 Automobil

N-Kanal MOSFET-Transistoren 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung des Chip-BSZ036NE2LSATMA1

N-Kanal IMBG65R030M1HXTMA1 Chip integrierten Schaltung der MOSFET-Transistor-TO-263-8

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver