China Chip der integrierten Schaltung

IDDD08G65C6 integrierte Schaltkreis-Chips und Dioden 650V CoolSiCTM Schottky Diode PG-HDSOP-10

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Integrierte Schaltkreischip SMCLCE12-HR 1 Kanal 12V 1500W TVS Dioden DO-214AB-2

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IDW50E60 Integrierter Schaltkreislauf 600V 50A Siliziumdiode PG-TO247-3

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IDW60C65D1 Integrierter Schaltkreis Chip Siliziumdioden 650V 60A Siliziumstromdioden

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IDW80C65D1 Integrierter Schaltkreis Chip Leistung Siliziumdioden 650V 80A Silikondioden

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IDDD16G65C6 Integrierter Schaltkreislauf 650V CoolSiCTM Schottky Diode PG-HDSOP-10 Dioden

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IDW80C65D2 Integrierter Schaltkreislauf 650V 80A IGBT Siliziumdioden PG-TO247-3

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Elektronische einzelne Dioden der integrierten Schaltungen IDK10G120C5XTMA1 1200V 31.9A

Teilnummer:IDK10G120C5XTMA1

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C
1200V 87A IDWD30G120C5XKSA1 Schottky Paket der Silikon-Karbid-Dioden-TO-247-2

Teilnummer:IDWD30G120C5XKSA1

Produkt:Schottky-Silikon-Karbid-Dioden

Befestigung von Art:Durch Loch
Einzelne Diode 1200V 62A der Dioden-IDWD20G120C5XKSA1 durch Loch PG-TO247-2

Teilnummer:IDWD20G120C5XKSA1

Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr:µA 166 @ 1200 V

Kapazitanz @ Vr, F:1368pF @ 1V, 1MHz
Einzelne Dioden 1200V 110A der integrierten Schaltung des Chip-IDWD40G120C5XKSA1 durch Loch

Teilnummer:IDWD40G120C5XKSA1

Reihe:CoolSiC™+

Technologie:Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Integrierte Schaltkreislauf-Chips STPSC10H12G2Y 1,2kV 10A Automotive Schottky SIC Dioden

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IDW50E60 Integrierter Schaltkreislauf 600V 50A Siliziumdiode PG-TO247-3

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Elektronische einzelne Dioden der integrierten Schaltungen IDK10G120C5XTMA1 1200V 31.9A

1200V 87A IDWD30G120C5XKSA1 Schottky Paket der Silikon-Karbid-Dioden-TO-247-2

Einzelne Diode 1200V 62A der Dioden-IDWD20G120C5XKSA1 durch Loch PG-TO247-2

Einzelne Dioden 1200V 110A der integrierten Schaltung des Chip-IDWD40G120C5XKSA1 durch Loch

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