China Chip der integrierten Schaltung

INTELLIGENTE Arm-ansässige Mikroregler der integrierten Schaltung des Chip-ATSAMD20E14A-MU

Teilnummer:ATSAMD20E14A-MU

Kern-Prozessor:ARM® Cortex®-M0+

Speicherkapazität:32-Bit-einkerniges
Chip 650V TO-263-8 der integrierten Schaltung der n-Kanal MOSFETs-Transistor-IPBE65R115CFD7A

Teilnummer:IPBE65R115CFD7A

Vgs (maximal):±20V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1950 PF @ 400 V
Einkerniger 48MHz 64KB 32-Bit-Mikroregler IC der integrierten Schaltung des Chip-ATSAMD20E16A-AU

Teilnummer:ATSAMD20E16A-AU

Zahl von Input/Output:26

Programm-Speicherkapazität:64KB (64K x 8)
der integrierten Schaltung 16MHz des Chip-ATMEGA32U4-MU 8Bit Chip Mikroregler-des Chip-44VQFN IC

Teilnummer:ATMEGA32U4-MU

Universelle Arbeitsregister:32 x 8 universelle Arbeitsregister

Durchsatz:Bis 16 MIPSS Durchsatz an 16MHz
Chip LT6654AIS6-5 der integrierten Schaltung liefern mit hohem Ausschuss Antrieb lärmarmes IC SOT-23-6

Teilnummer:LT6654AIS6-5

lärmarm:1.6ppmP-P (0.1Hz zu 10Hz)

Breite Versorgung:Strecke zu 36V
Analog-Digital-Umsetzer der integrierten Schaltung des Chip-ADS1258IRTCR 16-Channel 24-Bit

Teilnummer:ADS1258IRTCR

Zahl von Stückchen:24

Abtastrate (pro zweites):125k
Ethernet-Prüfer-Chip FCBGA224 der integrierten Schaltung des Chip-AQC113-B1-I 10Gbps PCIe

Teilnummer:AQC113-B1-I

GEN 3:GEN 3 x2

GEN 2:GEN 2 x2
Silikon-Karbid-Energie MOSFET SIC-integrierter Schaltung des Chip-SCT1000N170AG HiP247

Teilnummer:SCT1000N170AG

Gesamtleistungsableitung an TC = °C 25:96W

Lagertemperaturbereich:-55 °C zu °C 200
Chip integrierten Schaltung der SIC-MOSFETs-SCT070HU120G3AG SIC des Chip-HU3PAK 1200V 63mΩ IC

Teilnummer:SCT070HU120G3AG

Abfluss-Quellspannung:1200V

Abflussstrom (pulsiert):100A
Chip SCT070H120G3AG H integrierter Schaltung 30A SIC ² PAK-7 Silikon-Karbid-Energie MOSFET

Teilnummer:SCT070H120G3AG

Abfluss-Quellspannung:1200V

Tor-Quellspannung:-10V zu 22V
Chip integrierter Schaltung Silikon-Karbid-Energie MOSFET SCT040HU65G3AG SIC des Chip-HU3PAK IC

Teilnummer:SCT040HU65G3AG

Paket:HU3PAK

Abfluss-Quelldurchbruchsspannung (VGS = 0 V, Identifikation = 1 MA) Minute:650 V
Chip SCT040H65G3AG SIC-integrierter Schaltung sic MOSFETs H ² PAK-7 Transistoren großer Bandlücke

Teilnummer:SCT040H65G3AG

Zugeschaltete Energie der Drehung-weg (RG=15Ω, VGS=-5V zu 18V) Art:67µJ

Paket:H-² PAK-7

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