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IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip
IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Großes Bild :  IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IKW25N120T2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Beschreibung
Teilenummer: IKW25N120T2 Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max): 1200 V
Strom - Sammler (IC) (max): 50 a Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): 100 A
Leistung – max: 349 W Zugeschaltete Energie: 2.9mJ
Hervorheben:

1200V IGBT Transistor

,

25A Integrated Circuit Chip

,

Anti-Parallel Diode Discrete IGBT

IKW25N120T2 Integrated Circuit Chip 1200V 25A IGBT Transistors With Anti-Parallel Diode Product Overview Of IKW25N120T2 IKW25N120T2 is a 1200V, 25A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247-3 package. This TRENCHSTOP™ IGBT4 device combines trench-cell and fieldstop technology for significant improvements in both static and dynamic performance. The integration with a soft recovery emitter controlled diode further minimizes turn-on losses, achieving optimal efficiency

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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