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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications
BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Großes Bild :  BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: BLC10G22XS-301AVT
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: SOT1275-1
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Beschreibung
Teilenummer: BLC10G22XS-301AVT Technologie: Ldmos
Frequenz: 2.11 GHz ~ 2.17 GHz Leistung – Leistung: 350W
Aktuelle Bewertung (AMPs): 1,4 µA Spannung – Nennspannung: 65 V
Hervorheben:

300W LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip

,

Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

BLC10G22 Integrated Circuit Chip 300W Asymmetric Doherty Power LDMOS Transistor SOT1275-1 Product Overview Of BLC10G22 BLC10G22 is a 300W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLC10G22 Product Category RF MOSFET Transistors Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.4 uA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz Gain 15 dB Output

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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